烧结设备

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  • 及中国激光锈蚀烧结设备市场投资建议
    《修订日期》:2023年2月【内容部分有删减·详细可参鸿晟信合研究院出版完整信息!】《报告价格》:纸质版6500元 电子版6800元 纸质+电子版7000元 (有折扣)《对接人员》:马先生及中国激光锈..
    03月19日
  • 双鸭山氧化锆烧结设备专业生产厂家
    双鸭山氧化锆烧结设备专业生产厂家 氧化锆陶瓷,ZrO2陶瓷,Zirconia Ceramic具有熔点和沸点高、硬度大、常温下为绝缘体、而高温下则具有导电性等优良性质。 氧化锆陶瓷的生产要求制备高纯
    12月29日
  • 银烧结设备,大功率LED烧结银,低温烧结纳米银膏
    以近期国内外大热的新能源汽车为例,新能源汽车存在的核心困难是充电速率过慢,主流的研究热点集中在快速充电技术上,而快充技术的实现就需要用到高压SiC半导体器件。未来,在包括车用、辅助..
    03月19日
  • 银烧结设备,大功率器件烧结银,低温烧结纳米银膏价格
    以近期国内外大热的新能源汽车为例,新能源汽车存在的核心困难是充电速率过慢,主流的研究热点集中在快速充电技术上,而快充技术的实现就需要用到高压SiC半导体器件。SHAREX善仁新材在半导体..
    03月19日
  • 银烧结设备,大功率LED烧结银,低温烧结纳米银膏厂家
    以近期国内外大热的新能源汽车为例,新能源汽车存在的核心困难是充电速率过慢,主流的研究热点集中在快速充电技术上,而快充技术的实现就需要用到高压SiC半导体器件。推动中国宽禁带功率半导..
    03月19日
  • YD605烧结设备工件焊丝YD605烧结设备堆焊焊丝
    YD605烧结设备工件******焊丝YD605烧结设备堆焊***焊丝详细介绍 牌 号焊丝化学成分(Wt%)规 格CMnSiCrWMoNb硬 度 YD6014.8~5.21.0~2.00.8~1.226.0~27.0/Φ2.6~4.0适用于低冲击、高..
    02月29日
  • 石油催化剂煅烧炉
    一:适用材料:锂电材料、陶瓷材料、高纯氧化铝粉、催化剂、磁性材料、稀土材料 二:主要技术参数: 额定温度:1350℃ 使用温度:1300℃ 辊棒材质:碳化硅或氧化铝陶瓷 炉膛尺寸:根据客..
    07月21日
  • 磷酸铁锂用产业化烧结设备
    江苏前锦结合中日德三方制造体系,针对磷酸铁锂烧结设备进行研发,满足企业及高校科研院所小试、中试、产业化各阶段需求。 一、产品特点: 1:采用耐火材料砌筑,顶部采用拱形结构,具有寿..
    07月15日
  • 智能化微波高温烧结炉
    矿物的干燥、热解、焙烧、煅烧、烧结等; 金属氧化矿的碳热还原、金属硫化矿的脱硫等; 电瓷、日用陶瓷、建筑卫生陶瓷的干燥、烧成; 分子筛催化材料及化工原料的干燥、焙烧;
    01月15日
  • 实验室回转窑进行焙烧烧结试验
    实验室回转窑适用于冶金、地质、矿山、化工、建材等部门。对物样进行焙烧烧结试验。和传统的马弗炉,管式炉相比,它的最大优点在于炉管是转动的,物样在加工过程中,不停地翻动,因
    03月30日
  • 2024年16届上海粉末冶金展3月6-8日粉末冶金展会
    2024年16届上海粉末冶金展3月6-8日粉末冶金展会 2024十六届中国国际粉末冶金及硬质合金展览会展览日期:2024年3月6-8日展览地点:上海世博展览馆(上海市浦东新区·国展路1099号)主..
    03月19日
  • 大功率器件烧结银,宽禁带半导体烧结银
    未来,在包括车用、辅助设施、充电桩等整个新能源汽车产业,均会成为支撑SiC在中高电压领域高端应用的重要组成部分。5G技术不仅需要超带宽,更需要高速接入,低接入时延,低功耗和高可靠性,..
    03月19日
  • 银浆烧结,SiC烧结银,碳化硅烧结银
    当今世界能源发展以电为中心、以新能源大规模开发利用和电动汽车等新型用电设施广泛发展为标志的新一轮能源革命蓬勃兴起。SHAREX善仁新材在半导体封装材料及工艺方面的自主创新成果得到了行业..
    03月19日
  • 善仁烧结银,激光器件烧结银,烧结银膏
    随着5G移动通信、雷达探测、轨道交通、光伏发电、半导体照明、高压输变电等领域的快速发展,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)以高效的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等..
    03月19日
  • 低温烧结纳米银膏价格,igbt烧结银
    碳化硅与氮化镓优势互补。GaN功率半导体的市场应用领域偏向中低电压范围,集中在1000V以下,而1000V以上的中高电压范围内SiC更具优势,两者的应用领域覆盖了新能源汽车、光伏、机车牵引、智能..
    03月19日
  • 烧结银厂家,大功率器件烧结银,烧结银膏
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    03月19日
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    03月19日
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    03月19日
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    碳化硅与氮化镓优势互补。GaN功率半导体的市场应用领域偏向中低电压范围,集中在1000V以下,而1000V以上的中高电压范围内SiC更具优势,两者的应用领域覆盖了新能源汽车、光伏、机车牵引、智能..
    03月19日
  • 烧结银浆,IGBT烧结银,氮化镓烧结银
    5G技术不仅需要超带宽,更需要高速接入,低接入时延,低功耗和高可靠性,以支持海量设备的互联。GaN功率器件可以提供更高的功率密度、更高效率和更低功耗。第一类是针对车规应用的加压烧结银..
    03月19日
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