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1800.00元推动中国宽禁带功率半导体产业，成为发展建设绿色节能社会与智能制造的关键一环。在中国加速推进碳达峰、碳中和的背景下，能大幅降低电力传输中能源消耗的宽禁带半导体正快速成为中国半导体行..04月25日
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1800.00元未来，在包括车用、辅助设施、充电桩等整个新能源汽车产业，均会成为支撑SiC在中高电压领域高端应用的重要组成部分。在射频通信方面，GaN技术正助力5G通信的发展。5G移动通信从人与人通信拓展..04月25日
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1800.00元碳化硅与氮化镓优势互补。GaN功率半导体的市场应用领域偏向中低电压范围，集中在1000V以下，而1000V以上的中高电压范围内SiC更具优势，两者的应用领域覆盖了新能源汽车、光伏、机车牵引、智能..04月25日
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1800.00元5G技术不仅需要超带宽，更需要高速接入，低接入时延，低功耗和高可靠性，以支持海量设备的互联。GaN功率器件可以提供更高的功率密度、更高效率和更低功耗。当今世界能源发展以电为中心、以新..04月25日
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1800.00元随着5G移动通信、雷达探测、轨道交通、光伏发电、半导体照明、高压输变电等领域的快速发展，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)以高效的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等..04月25日
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1800.00元在射频通信方面，GaN技术正助力5G通信的发展。5G移动通信从人与人通信拓展到万物互联，预计2025年全球将产生1000亿个设备的连接。当今世界能源发展以电为中心、以新能源大规模开发利用和电动..04月25日
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1800.00元随着5G移动通信、雷达探测、轨道交通、光伏发电、半导体照明、高压输变电等领域的快速发展，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)以高效的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等..04月25日
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1800.00元在射频通信方面，GaN技术正助力5G通信的发展。5G移动通信从人与人通信拓展到万物互联，预计2025年全球将产生1000亿个设备的连接。5G技术不仅需要超带宽，更需要高速接入，低接入时延，低功耗..04月25日
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1800.00元碳化硅与氮化镓优势互补。GaN功率半导体的市场应用领域偏向中低电压范围，集中在1000V以下，而1000V以上的中高电压范围内SiC更具优势，两者的应用领域覆盖了新能源汽车、光伏、机车牵引、智能..04月25日
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1900.00元善仁新材纳米烧结银互连结构成型原理及微观结构 纳米颗粒具有独特的性能，其比表面积小并且表面曲率半径小，这种特性赋予了它具有比常规的粉体更低的熔点和焊接温度。根据善仁新材研究院的经..04月25日
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1900.00元② 进行预加热干燥，用于排除烧结银中的有机气体等挥发物，然后在高温下进行无压或压力辅助烧结，主要烧结工艺参数有：升温速率、烧结温度、烧结压强、烧结时间和气体环境等;另外，善仁新材研..04月25日
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1900.00元其一为改变芯片尺寸，最好控制在5×5 mm2以内；其二是在烧结银中添加“特殊物质”。善仁新材公司通过控制烧结温度、温升速度、烧结时间研究出一种烧结方法，在针对10×10mm2的大面积连接时，既降..04月25日
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1900.00元近年来以善仁新材开发的纳米烧结银技术为代表的低温连接技术是目前功率器件朝耐高温、高可靠性应用发展的主要趋势，其基本原理是利用纳米尺度下金属颗粒的高表面能、低熔点特性来实现芯片与基..04月25日
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1900.00元近年来以善仁新材开发的纳米烧结银技术为代表的低温连接技术是目前功率器件朝耐高温、高可靠性应用发展的主要趋势，其基本原理是利用纳米尺度下金属颗粒的高表面能、低熔点特性来实现芯片与基..04月25日
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1900.00元③烧结完成后形成SiC-Cu基板纳米烧结银互连层。可以看到，善仁新材的纳米银烧结互连层是碳化硅功率器件封装的关键结构单元，属于薄层结构，其厚度范围一般为20～50μm。SiC芯片和Cu基板表面可以..04月25日
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1900.00元由于现有封装技术的限制，特别是芯片与基板的互连技术，例如银浆、聚合物材料，软钎焊等互连技术由于焊料合金的低熔点、环氧树脂的低温分解等原因，使其不能在高温环境下可靠工作，导致限制电..04月25日
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1900.00元由于现有封装技术的限制，特别是芯片与基板的互连技术，例如银浆、聚合物材料，软钎焊等互连技术由于焊料合金的低熔点、环氧树脂的低温分解等原因，使其不能在高温环境下可靠工作，导致限制电..04月25日
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1800.00元未来，在包括车用、辅助设施、充电桩等整个新能源汽车产业，均会成为支撑SiC在中高电压领域高端应用的重要组成部分。5G技术不仅需要超带宽，更需要高速接入，低接入时延，低功耗和高可靠性，..04月25日
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