Gemini 2 型电子光学镜筒让 GeminiSEM 460 成为高束流下获取高分辨率成像和快速 分析的理想之选。另外，它还集上一代 Gemini 光学系统的所有优势于一身。例如， 确保了大视野范围内的无畸变 EBSD 分析和 高分辨率成像的物镜无漏磁设计。
因此您也能够在不影响电子光学性能的前 提下倾斜样品， 甚至还能轻松完成磁性样 品成像。
Nano-twin 物镜
Nano-twin 物镜是一种在低加速电压条件下 工作的电镜( EM ) 物镜。通过优化几何结 构和静电场及磁场分布， 获得出色的信号 探测效率， 从而可以在低电压下达到亚纳 米级分辨率。具体来说， 与标准的 Gemini 物镜相比，它在低电压下的像差降低了 3 倍。这使得样品上的磁场降低了 3 倍， 约 为 1mT ，并能够进行 1kV 以下亚纳米成像， 而无需将样品浸没在电磁场中。
智能自动光路调节( Smart Autopilot)
与 Nano-twin 物镜相结合，新的智能自动光 路调节让您受益于以下特点：
• 通过聚光镜优化所有工作条件下的电子束 会聚角，在每种工作能量下都能获得出色 的分辨率。
• 通过 Nano-twin 物镜实现低电压下的优 化高分辨率
• 通过新的大视野概览模式实现样品导航和 高分辨率成像之间的无缝过渡
• 通过新的自动聚焦功能和新的快速镜筒对 中算法实现高速优化图像质量。
全套探测系统： 根据出射能量和出射角选 择性地探测样品的电子
GeminiSEM 系列的全套探测系统有大量不同 的探测器可供选配。通过组合 EsB (能量选 择背散射) 探测器、 Inlens 二次电子探测器 及 AsB (角度选择背散射) 探测器获取样品 材料、表面形貌或结晶度的信息。入射电子 与样品作用后可产生二次电子( SE ) 和背散 射电子( BSE )。从纳米级样品表面逃逸出的、 能量小于 50 eV 的二次电子可用来表征样 品的表面形貌。这些二次电子可通过特设 计的电子束推进器向后加速进入镜筒，并经 Gemini 物镜投射到环形 Inlens 二次电子探测 器里。 GeminiSEM 可根据样品的表面条件在 宽角度范围内探测二次电子。
大部分的背 散射电子能够穿过 Inlens SE 探测器，并被 EsB 探测器收集。此外， Inlens EsB 探测器 还可有选择地收集不同能量的背散射电子。 如果出射角大于 15 度， 则 BSE 无法进入镜 筒，但会被 AsB (角度选择背散射) 或可 抽插式 aBSD 探测器探测到。aBSD 探测器 能够提供样品的成分衬度、形貌和 3D 表面 信息。样品室背散射电子探测器( BSD )和 扫描透射电子探测器可以在低加速电压下 拥有更率，且能实现超速成像。
