高导热率：导热率可达3130W/mK
4高导电率：体阻低至2.2*10-6
5 耐候性好：-55-250°C
和其他焊接工艺相比，可提高功率密度，降低系统总成本
7 无铅环保：无卤配方
8以膏状形式供应：便于操作，可以点胶或者印刷
1降低综合成本：可以支持高电压和更高工作温度的硅以及宽能隙器件，并且帮助客户每千瓦成本降低40％以上。
2提高可靠性：善仁新材利用积累多年的纳米银技术，充分抓住汽车动力总成电气化这一趋势，通过高可靠的烧结银技术不仅能帮助客户实现率的电力电子设备，同时还能缩小产品尺寸、以及大大提高可靠性。
随着汽车的电子化和EV、HEV的实用化以及SiC/GaN器件的亮相等，车载功率半导体正在走向多样化。比如，不仅是单体的功率MOSFET，将控制IC（电路）一体化了的IPD（IntelligentPowerDevice）也面世且品种不断增加。
多样化了的车载功率半导体，尤其是EV和HEV用车载功率半导体的耗电量不断增加，为了应对这个问题，就要求封装实现（1）低电阻、（2）高散热、（3）高密度封装。而AS9385烧结银工艺正是解决这一难题的关键技术。
