目前烧结银技术主要用于对可靠性和散热高要求的市场，在引线框架制作上除了要提供高可靠度的镀银品质以符合烧结银的搭接技术以外，由于烧结银的膜厚只有20um-50um，不像传统的锡膏搭接方式可通过锡膏量的调整补正搭接面平整度不佳造成的搭接问题，烧结银的搭接技术对于搭接处的公共平面度要求公差只有20um，对于这种复杂的折弯成型式技术是一大挑战。
在成型技术也相当困难，由于电镀银是局部镀银，相较于全镀，部分镀银技术很难，做模具，且放置芯片处用局部银，一个导线架搭两个芯片，芯片局部银，其他引线框架用镍钯金，材料差异对引线框架制作是很大的技术挑战。
众所周知，在单管封装中，影响器件Rth(j-c)热阻的主要是芯片、焊料和基板。SiC芯片材料的导热率为370W/(m.K)，远IGBT的Si(124W/(m.K))，甚至超过金属铝(220W/(m.K))，与Lead Frame的铜(390 W/(m.K))非常接近。而一般焊料的导热率才60 W/(m.K)左右，典型厚度在50-100um，所占整个器件内部Rth(j-c)热阻之权重，是不言而喻的。
单管封装中引入扩散焊“Diffusion Soldering”，省了芯片与lead frame之间的焊料，优化了器件热阻。以1200V/30mOhm的SiC MOSFET单管为例，基于GVF预烧结银焊片，相比当前焊接版的TO247-3/4L，可降低约25%的稳态热阻Rth(j-c)，和约45%的瞬态热阻。
GVF预烧结银焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）的使用方法为：Pick & Place；
GVF预烧结银焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）可以广泛用于：Die Attach, Die Top Attach, Spacer Attach等。
采用了GVF预烧结银焊片的Diffusion Soldering（扩散焊）技术。简而言之，就是在特定温度和压力条件下，使得SiC芯片的背面金属，与Lead Frame表面金属产生原子的相互扩散，形成可靠的冶金连接，以釜底抽薪之势，一举省去中间焊料，所谓大道至简、惟精惟一，惟GVF预烧结银焊片。一言以蔽之：采用了GVF预烧结银焊片时，降低器件稳态和瞬态热阻，同时提高器件可靠性。
