晶圆是半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆的原始材料是硅，而硅是由石英砂所精练出来的，晶圆便是由硅元素加以纯化（可达到99.999%），接着将这些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的材料，之后经过照相制版，研磨，抛光，切片等一系列程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。硅晶圆的制造可被归纳为三个基本步骤，分别是硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。目前晶圆制造过程涉及的材料有硅片、掩膜版、电子气体、光刻胶配套试剂、CMP材料、工业化学品、光刻胶、靶材等等，其中硅片在各材料占比为31%，是晶圆的重要组成部分
校准区截面呈方形，晶圆上料装置和晶圆收料装置对应设置在方形的相邻两侧边，晶圆取放装置对应设置在晶圆上料装置和边缘式校准器之间，且自动导片机还包括位于校准区的负离子发生器。这样设置，结构紧凑，设备运行，同时，负离子发生器可产生大量带有正负电荷的气流，可以将晶圆检测区内的物体表面所带电荷中和。
由于激光在聚焦上的优点，聚焦点可小到亚微米数量级，从而对晶圆的微处理更具有优势，可以进行小部件的加工。即使在不高的脉冲能量水平下，也能得到较高的能量密度，有效进行材料加工。激光划片属于非接触式加工，可以避免出现芯片破碎和其它损坏现象。
加工优势：
1、划片速度快，，成片率高，切割速度150mm/s
2、非接触式加工，无机械应力，适合切脆性易碎晶圆
3、CCD快速定位功能，实现同轴监视或旁轴监视功能
4、二维直线运动平台，高精密DD旋转平台，大理石基石，稳定可靠，热变形小
5、操控系统，全中文操作界面，操作直观、简易、界面良好
6、无需砂轮刀、蓝膜、去离子水等耗材，高可靠性和稳定性，划片质量高，玻璃钝化层无崩裂和微裂纹。
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%。
在许多晶圆的切割期间经常遇到的较窄迹道(street)宽度，要求将每一次切割放在迹道中心几微米范围内的能力。这就要求使用具有高分度轴精度、高光学放大和对准运算的设备。当用窄迹道切割晶圆时的一个常见的推荐是，选择尽可能薄的刀片。可是，很薄的刀片(20µm)是非常脆弱的，更容易过早破裂和磨损。结果，其寿命期望和工艺稳定性都比较厚的刀片差。对于50~76µm迹道的刀片推荐厚度应该是20~30µm。
