可控硅技术是具有半个多世纪的技术，在可控硅调光技术之后，照明行业有采用0/1-10V模拟调光、DMX512与DALI等数字调光协议技术。但是，可控硅调光技术却有着一定的的优势，一个是历史传承原因，另外一个无需信号线，不用改变原有线路的简便性，成本低、施工方便比较受工程方欢迎，所以可控硅调光电源还是占据调光电源的市场份额。大家都说可控硅调光要做匹配测试到底在匹配什么?一般可控硅产品仍具有兼容性等问题尽管多个跨国大LED驱动IC的厂开发出了可以兼容现有可控硅调光器的IC芯片来，一般电源公司的可控硅电源都是利用这种通用IC方案实现的，针对市面上有几百上千种不同规格的可控硅和晶体管调光开关，实际上所开发的IC根本不可能兼容大多数的可控硅开关，兼容性比较低，兼容一直困扰整个行业。经常会听到工程客户说找了很多厂家的电源，都没有办法兼容到光控制系统。除此之外大多数可控硅电源还有许多较常见的问题像调光效果不好、调光范围窄、容易出现闪烁等。
兼容性，是调光器与调光电源的匹配说到可控硅调光的兼容性问题，其中一个常见问题在于通常切相调光器在调光时所产生的和小触发角存在着很大的不一致，导致LED灯具调光性能的差异化。不不同的触发角的变动范围都非常大，如此一来，其导通时间和施加给负载的功率也会出现变化。相切调光器的导通周期都与LED的工作电流直接相关，并因此而影响着灯具的发光量。假设LED驱动电源具有固定的调光曲线，针对不同的调光器，该驱动电源电路的性能表现也会不一样。此外，调光曲线上的任何非线性都会加剧调光器之间的性能差异。
可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流，还可以用作无触点开关的快速接通或切断；实现将直流电变流电的逆变；将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样，有体积小、、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。目前可控硅在自动控制、机电应用、工业电气及家电等方面都有广泛的应用。
可控硅从外形上区分主要有螺旋式、平板式底式三种。螺旋式应用较多。
可控硅有三个----阳(A)、阴(C)和控制(G)，管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结，与只有一个PN结的硅整流二管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制的引入，为其发挥“以小控大”的控制特性奠定了基础。可控硅应用时，只要在控制加上很小的电流或电压，能控制很大的阳电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
我们可以把从阴向上数的、二、三层看面是一只N管，而二、三、四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。可画出图1的等效电路图。当在阳和阴之间加上一个正向电压E，又在控制G和阴C之间(相当BG2的基一射间)输入一个正的触发信号，BG2将产生基电流Ib2，经放大，BG2将有一个放大了β2倍的集电电流IC2。因为BG2集电与BG1基相连，IC2又是BG1的基电流Ib1。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集电电流IC1送回BG2的基放大。如此循环放大，直到BG1、BG2完全导通。事实上这一过程是“一触即发”的，对可控硅来说，触发信号加到控制，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。
可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG2基的电流已不只是初始的Ib2，而是经过BG1、BG2放大后的电流(β1*β2*Ib2)，这一电流远大于Ib2，足以保持BG2的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态，只有断开电源E或降低E的输出电压，使BG1、BG2的集电电流小于维持导通的小值时，可控硅方可关断。当然，如果E性反接，BG1、BG2受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，E接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正电压大到超过一定值时，可控硅也会导通，但已属于非正常工作情况了。
可控硅这种通过触发信号(小触发电流)来控制导通(可控硅中通过大电流)的可控特性，正是它区别于普通硅整流二管的重要特征。
可控硅有多种分类方法：
1、按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种；
2、按引脚和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅；
3、按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种；
4、按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装；
5、按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅；
6、过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，是过零点才触发，导通可控硅；
7、非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。
可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。
可控硅的特点： 是“一触即发”。但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，可控硅就不能导通。控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使可控硅导通，却不能使它关断。那么，用什么方法才能使导通的可控硅关断呢?使导通的可控硅关断，可以断开阳极电源(图中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的小值(称为维持电流)。如果可控硅阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压，那么，在电压过零时，可控硅会自行关断。
使用可控硅时要知道的各项参数如下：
1、额定通态平均电流：
在环境温度为+40℃及规定的散热条件、纯电阻负载、元件导通角大于己于170°电角度时，可控硅所允许的单相工频正弦半波电流在一个周期内的大平均值；
2、通态平均电压：在规定环境、温度散热条件下，元件通以额定通态平均电流，结温稳定时，阳极和阴极间电压平均值；
3、控制极触发电压：在室温下，阳极和阴极间加6V电压时，使可控硅从截止变为完全导通所需的小控制极直流电压；
4、控制极触发电流：在室温下，阳极和阴极间加6V电压时，使可控硅从截止变为完全导通所需的控制极小直流电流；
5、断态重复峰值电压：在控制极断开和正向阻断的条件下，阳极和阴极间可重复施加的正向峰值电压。其数值规定为断态下重复峰值电压UPSM的80%；
6、反向重复峰值电压：在控制极断开的条件下，阳极和阴极之间可重复施加的反向峰值电压。其数值规定为反向不重复峰值电压URSM的80%。一般把UPFV和UPRV中较小的数值作为元件的额定电压；
7、维持电压：在室温和控制极断路时，可控硅从较大的通态电流降至刚好能保持元件处于通态的小电流，一般为几十到一百多mA。如果通过的正向电流小于此值，可控硅就不能继续保持导通而自行截止。
