AS9330半烧结银的 导热系数范围80W/mK-100W/ mK，在银、铜和镍钯金引线框架的封装内电阻更低的热阻（Rth）- 0.4K/W。
半烧结银AS9330的工艺流程如下：1 清洁芯片和被粘结的界面2 假设界面表面能太低，建议提高界面表面能.
将芯片放到涂有半烧结银AS9330的界面上时，建议加一点压力到上界面压一下； 烧结时需逐步阶梯升温到一定的温度，比如3分钟升高5度等
半烧结银AS9330 烧结结束时，建议在烘箱中逐步降温到室温再把器件拿出；烧结银烧结时，要主要烧结温度，烧结时间，烧结压力”铁三角“的调整问题。
通过以上步骤，可以降低芯片封装纳米烧结银的烧结温度、减少烧结裂纹、降低烧结空洞率、提高烧结体的致密性和热导率。
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