晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管基本的和重要的特性。
晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管基本的和重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
晶体三极管 —— 是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。在电子元件家族中，三极管属于半导体主动元件中的分立元件。
工艺结构特点
发射区高掺杂：为了便于发射结发射电子，发射区半导体掺浓度基区的掺杂浓度，且发射结的面积较小。
基区尺度很薄：3~30μm，掺杂浓度低。
集电结面积大：集电区与发射区为同一性质的掺杂半导体，但集电区的掺杂浓度要低，面积要大，便于收集电子。
三极管不是两个PN结的简单拼凑，两个二极管是组成不了一个三极管的。工艺结构在半导体产业相当重要，PN结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构，能制成各样各样的元件，包括IC。
