而烧结技术通过高温使AS9330表面原子互相扩散，从而形成致密结构的过程，也称之为“低温烧结技术”。加入纳米银粒子的低温烧结技术大大提升了导热及导电性能，可满足对于第三代半导体高功率器件的电子互联应用。
半烧结银AS9330和普通银材料相比有更全面的导热和可操作性能 ，AS9330使用制程简便，与普通导电银胶工艺相似。
AS9330结合了性能、可靠性和可加工性。对于那些希望找到焊料的无铅替代品（无需昂贵或复杂的加工，又能确保与传统材料同等或更优的性能）的封装而言，AS9330烧结银可以全面满足他们的需求，同样也为实现第三代半导体功率的电子互联提供很好解决方案。
半烧结银AS9330 烧结结束时，建议在烘箱中逐步降温到室温再把器件拿出；烧结银烧结时，要主要烧结温度，烧结时间，烧结压力”铁三角“的调整问题。
通过以上步骤，可以降低芯片封装纳米烧结银的烧结温度、减少烧结裂纹、降低烧结空洞率、提高烧结体的致密性和热导率。
AS9200系列烧结银胶：包括9220烧结银胶，9221烧结银胶。 AS9100系列纳米烧结银浆：包括9101烧结银浆，9120烧结银浆，9150烧结银浆。
