Gemini 物镜的设计结合了静电场与磁场， 在提升光学性能的同时将它们对样品的影 响降至低。因此，即便是要求苛刻的样 品 —— 如磁性材料，也能进行成像。 在 Gemini 镜筒设计理念中， Inlens 用二次 电子( SE ) 和背散射电子( BSE ) 探测器来 确保的信号检测。
Inlens 探测器均放置 在镜筒内正光轴上， 在减少重新校准耗时 的同时有效地缩短了获取图像的时间。 Gemini 电子束推进器技术可以在非常 低的加速电压下仍获得小束斑和高信噪比。
此外， 它确保了电子束在镜筒中运动时始 终保持高加速电压， 直至出镜筒后才减速 至设定电压， 更大程度地减小外部杂散磁 场对系统灵敏度的影响。GeminiSEM 360 、 GeminiSEM 460 和 GeminiSEM 560 三 者 均 应用了 Gemini 设计、 Inlens 探测器和电子 束推进器技术。
• 通过 Nano-twin 物镜实现低电压下的优 化高分辨率
• 通过新的大视野概览模式实现样品导航和 高分辨率成像之间的无缝过渡
• 通过新的自动聚焦功能和新的快速镜筒对 中算法实现高速优化图像质量。
分辨率模式
在高分辨率电子枪模式下， 电子束色差降低， 从而实现更小的束斑。
在样品台减速技术模式下， 为样品施加减 速电压。该减速电压可进一步提高 1 kV 以 下的图像分辨率并增强背散射探测器的检 测效率。
全套探测系统： 根据出射能量和出射角选 择性地探测样品的电子
GeminiSEM 系列的全套探测系统有大量不同 的探测器可供选配。通过组合 EsB (能量选 择背散射) 探测器、 Inlens 二次电子探测器 及 AsB (角度选择背散射) 探测器获取样品 材料、表面形貌或结晶度的信息。入射电子 与样品作用后可产生二次电子( SE ) 和背散 射电子( BSE )。从纳米级样品表面逃逸出的、 能量小于 50 eV 的二次电子可用来表征样 品的表面形貌。这些二次电子可通过特设 计的电子束推进器向后加速进入镜筒，并经 Gemini 物镜投射到环形 Inlens 二次电子探测 器里。 GeminiSEM 可根据样品的表面条件在 宽角度范围内探测二次电子。
大部分的背 散射电子能够穿过 Inlens SE 探测器，并被 EsB 探测器收集。此外， Inlens EsB 探测器 还可有选择地收集不同能量的背散射电子。 如果出射角大于 15 度， 则 BSE 无法进入镜 筒，但会被 AsB (角度选择背散射) 或可 抽插式 aBSD 探测器探测到。aBSD 探测器 能够提供样品的成分衬度、形貌和 3D 表面 信息。样品室背散射电子探测器( BSD )和 扫描透射电子探测器可以在低加速电压下 拥有更率，且能实现超速成像。
