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云南4DSJJMICRO放电管

更新时间:2024-06-14 03:04:28 [举报]

2013年11月13日~15日 第82届中国电子展在上海浦东新国际博览中心(上海市龙阳路2345号)召开,展会展出产品有工业级电子元器件、光电器件、集成电路、电源模块、嵌入式系统、新型传感器技术、电子材料、电子基础装备、电子工具、电子测量仪器及工控自动测试系统等。

放电管是一种使用于设备输入端的高压保护元件。若其两端的电压高过其保护规格值时,其内部会出现短路现象,并吸收掉输入的过高压。

常见放电管还有气体放电管、压敏电阻、TVS二极管和固体放电管。

固体放电管是一种过压保护器件,是利用晶闸管原理制成的,依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电,可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围,构成了过压保护的范围。固体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两端,必要情况下可以串接电阻或熔断器,这样就可以构成完备的过压、过流保护电路。

选用半导体放电管应注意以下几点:
1、大瞬间峰值电流IPP大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68A类型的IPP应大于100A;Bellcore 1089的IPP应大于25A。
2、转折电压VBO小于被保护电路所允许的大瞬间峰值电压。
3、半导体放电管处于导通状态(导通)时,所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm,Pcm=KVT*IPP,其中K由短路电流的波形决定。对于指数波,方波,正弦波,三角波K值分别为1.00,1.4,2.2,2.8。
4、反向击穿电压VBR大于被保护电路的大工作电压。如在POTS应用中,大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V,所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中,大DC电压(150V)和大信号电压(3V)之和为153V,所以应选择VBR大于153V的器件。
5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位,器件的维持电流IH大于系统所能能提供的电流值。即:IH(系统电压/源阻抗)。

特点编辑 语音
1.适合高密度表面贴装的防静电浪涌。
2.适合流动和量低,可用于高频电路。
5.高绝缘阻抗特性。
6.可进行编带包装。
7.符合IEC61000-4-2规格。

TSS是电压开关型瞬态抑制二极管,就是涌抑制晶体管,或者叫做导体放电管,固体放电管等等。TSS管是利用半导体工艺制成的保护器件,半导体器件行业硕凯电子研发及生产多种规格型号的半导体放电管,主要用于信号电路的防雷保护。不能用在电源端口。 TSS器件的通流容量一般高可达到150A(8/20uS)。

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