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CTMicro,亿光,LITEON,光耦合器,辽宁OR-1019贴片光耦规格

更新时间:2024-03-30 02:06:36 [举报]

按输出形式分,可分为:
a、光敏器件输出型,其中包括光敏二极管输出型,光敏三极管输出型,光电池输出型,光可控硅输出型等。
b、NPN三极管输出型,其中包括交流输入型,直流输入型,互补输出型等。
c、达林顿三极管输出型,其中包括交流输入型,直流输入型。
d、逻辑门电路输出型,其中包括门电路输出型,施密特触发输出型,三态门电路输出型等。
e、低导通输出型(输出低电平毫伏数量级)。
f、光开关输出型(导通电阻小于10Ω)。
g、功率输出型(IGBT/MOSFET等输出)。
h, 光敏电阻型(通过光,控制输出电阻, 输出电阻可以双向, 可以交流, 改变了PC817之类只能一个方向的不便, 纯电阻材料, 无极性输出, 如LCR-0202)

四、传输特性:
1.电流传输比CTR(Current Transfer Radio)
2.上升时间Tr (Rise Time)& 下降时间Tf(Fall Time)
其它参数诸如工作温度、耗散功率等不再一一敷述。

以下为光电耦合器的常用参数:
反向电流IR:在被测管两端加规定反向工作电压VR时,二极管中流过的电流。
反向击穿电压VBR:被测管通过的反向电流IR为规定值时,在两极间所产生的电压降。
正向压降VF:二极管通过的正向电流为规定值时,正负极之间所产生的电压降。
正向电流IF:在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。结电容CJ:在规定偏压下,被测管两端的电容值。
反向击穿电压V(BR)CEO:发光二极管开路,集电极电流IC为规定值,集电极与发射集间的电压降。
输出饱和压降VCE(sat):发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时,并保持IC/IF≤CTRmin时(CTRmin在被测管技术条件中规定)集电极与发射极之间的电压降。
反向截止电流ICEO:发光二极管开路,集电极至发射极间的电压为规定值时,流过集电极的电流为反向截止电流。
电流传输比CTR:输出管的工作电压为规定值时,输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。
脉冲上升时间tr,下降时间tf:光耦合器在规定工作条件下,发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波,输出端管则输出相应的脉冲波,从输出脉冲幅度的10%到90%,所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%,所需时间为脉冲下降时间tf。
传输延迟时间tPHL,tPLH:从输入脉冲幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。
入出间隔离电容CIO:光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。
入出间隔离电阻RIO:半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。
入出间隔离电压VIO:光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值.

CT Micro's 采用双模塑共面 (DMC-Isolator ® ) 封装技术,该技术采用特的封装材料和工艺配方设计,可提供的可靠性和隔离性能的光耦合器。

二色成型共面(DMC-隔离®)优势。

的隔离性能
在升高的温度下具有一致的传输特性性能
固定内部隔离间隙(通过绝缘的厚度)。
无铅且符合 RoHS。
CT Micro 的主要目标是朝着零缺陷迈进。为了实现这一目标,CT Micro 对从设计、制造到测试的质量进行了严格的控制。由于我们的旅程从设计开始,因此在此阶段使用 DFMEA 来理解和识别设计,以便尽早进行改进。在制造过程中,使用统计过程控制(SPC)来监控每个过程,以严密的 UCL 和 LCL 来保持过程控制的严密。这仅允许很小的偏差,确保良好和稳定的过程。在我们的测试中使用了多个测试,以确保测试程序将有效地筛选所有缺陷。保持我们对质量CT 的承诺Micro 会定期执行实时可靠性 (RTR),以确保产品符合要求的质量标准。

CT Micro 将继续致力于打造满足并客户对质量、可靠性和服务期望的产品。
以下是目前市场上常见的高速光藕型号:

100K bit/S:
6N138、6N139、PS8703

1M bit/S:
6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530(双路)、HCPL-2531(双路)

10M bit/S:
6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630(双路)、HCPL-2631(双路)

可控硅型光耦
还有一种光耦是可控硅型光耦。
例如:moc3063、IL420;
它们的主要指标是负载能力;
例如:moc3063的负载能力是100mA;IL420是300mA;
型号规格 性能说明  
4N25 晶体管输出
4N25MC 晶体管输出
4N26 晶体管输出
4N27 晶体管输出
4N28 晶体管输出
4N29 达林顿输出
4N30 达林顿输出
4N31 达林顿输出
4N32 达林顿输出
4N33 达林顿输出
4N33MC 达林顿输出
4N35 达林顿输出
4N36 晶体管输出
4N37 晶体管输出
4N38 晶体管输出
4N39 可控硅输出
6N135 高速光耦晶体管输出
6N136 高速光耦晶体管输出
6N137 高速光耦晶体管输出
6N138 达林顿输出
6N139 达林顿输出
MOC3020 可控硅驱动输出
MOC3021 可控硅驱动输出
MOC3023 可控硅驱动输出
MOC3030 可控硅驱动输出
MOC3040 过零触发可控硅输出
MOC3041 过零触发可控硅输出
MOC3061 过零触发可控硅输出
MOC3081 过零触发可控硅输出
TLP521-1 单光耦
TLP521-2 双光耦
TLP521-4 四光耦
TLP621 四光耦
TIL113 达林顿输出
TIL117 TTL逻辑输出
PC814 单光耦
PC817 单光耦
H11A2 晶体管输出
H11D1 高压晶体管输出
H11G2 电阻达林顿输

标签:贴片光耦规格北京贴片光耦
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