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安徽铜电化学沉积的动态硅通孔填充⼯艺半导体,动态硅通孔填充⼯艺

更新时间:2024-06-07 10:35:08 [举报]

在三维集成中 TSV 技术可分为三种类型:在 CMOS ⼯艺过程之前在硅片 上完成
通孔制作和导电材料填充的是先通孔技术;⽽中通孔,在CMOS制 程之后和后端
制程(BEOL)之前制作通孔。后⼀种后通孔技术是在 CMOS ⼯艺完成后但未
进⾏减薄处理时制作通孔。终技术⽅案的选择要 根据不同的⽣产需求。

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TSV 填充
TSV 填充电镀铜有三种⽅法:
共形电镀,自下⽽上的密封凸点电镀, 和超共形电镀。电镀⽅法是以各种三维
集成应用为基础的。总的来说, TSV 的结构是深度在 10 到 200μm 之前的典型
的圆柱形孔。TSV 的深度 取决于芯片或晶圆键合时的所需厚度,⽽ TSV 纵横
比的⼤小则由介电 膜、阻挡层和种⼦层和填充过程决定的。

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