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本文从晶体生长物理基础和流体力学的基本理论出发,结合硅单晶制备过程中热质输运的分析,采用实验和数值分析相结合的方法,以大直径硅单晶制备为主要研究对象,研究热场结构、控制参数和外加磁场对大直径硅单晶生长的影响。通过数值分析的手段,研究了结构参数和控制参数对晶体生长特性的影响,确定了晶体制备的工艺条件;采用28inch和32inch热场制备出400mm和45 
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基本介绍编辑1、主机部分：机架，双立柱\双层水冷式结构炉体\水冷式阀座\晶体提升及旋转机构\坩埚提升及旋转机构\系统\真空系统及自动炉压检测控制\水冷系统及多种安全保障装置\留有二次加料口2、加热器电源：全水冷电源装置采用专利电源或原装进口IG及超快恢复二极管等功率器件。配以高频变压器，构成新一代高频开关电源。采用移相全桥软开关（ZVS）及CPU控制技术，提高了电能转换效率，不需要功率因数补偿装置。3、计算机控制系统：采用PLC和上位工业平板电脑PC机，配备大屏幕触摸式HMI人机界面、高像素CCD测径ADC系统和具有知识产权的“全自动CZ法晶体生长SCADA监控系统”，可实现从抽真空—检漏—炉压控制—熔料—稳定—溶接—引晶—放肩—转肩—等径—收尾—停炉全过程自动控制。分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，单晶硅生长炉设备附件回收种类\二手单晶炉回收利用、电镀设备、光伏产品设备、补偿柜、电容柜回收、整流柜、水冷电缆、电源柜、单晶炉配套系统，单晶炉连接水电缆，单晶炉输配电设备干式电阻炉变压器、电弧炉变压器、感应炉变压器、电容式变压器，电子元器件， 施耐德断路器, 梅兰日兰断路器。
