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典型的N沟道MOS晶体管组成示意图如图1所示。
然后整流器件过反向电流IR，并且IR逐渐大；在t=t2时刻达到反向恢复电流IRM值。不同的导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的一种特性。F，当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和e流I0。 反向恢复时间，
