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光效高80W防爆LED灯85W防爆LED投射灯

更新时间:2020-08-18 08:08:01 信息编号:227987989
光效高80W防爆LED灯85W防爆LED投射灯
1001台
99≥ 2台
  • 100.00 元

  • 硕宝防爆

  • 正白

  • 光效高80W防爆LED灯,85W防爆LED投射灯

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详情介绍

产品别名
光效高80W防爆LED灯,85W防爆LED投射灯
面向地区
品牌
硕宝防爆
灯光颜色
正白
防护等级
IP65
功率
36w以上
供电电压
220
适用机床
加工中心
输入电压(v)
220
颜色
白色
类型
防爆照明灯

光效高80W防爆LED灯85W防爆LED投射灯

今日硕宝采摘:由台湾LED照明产业联盟(TLLIA)发起制定的两岸LED照明产品共通规格,已获国家半导体照明工程研发及产业联盟、广东省支持,6月18日于台北光电周开幕日正式签署了互信意向书。
台湾LED照明产业联盟理事长简奉任表示,长期以来,LED照明产品LED庭院灯缺乏共通规格标准,各家厂商设计产品时规格订定天马行空,时机与技术水准尚未成熟的抢先上市,宣称寿命与光衰无法获得,产品可靠度欠佳,市场恶性削价竞赛。
据悉,台湾LED照明产业联盟是结合台湾LED光电产业链中的核心企业,以照明应用及市场开拓为主要目标,汇聚产官学研各界,深切了解LED庭院灯LED照明科技的关键问题,以订标准、寻商机、奠地位的核心价值目标,积极结合两岸的照明,共同为突破LED市场瓶颈努力。
历经2年的努力及扩大两岸意见交流,获得来自中国大陆国家半导体照明工程研发及产业联盟的关注,及广东省的支持,终于迈出两岸标准合作中,实质产品化整合的步。
另外,在两岸经合会旗下产合小组,针对LED产业试点合作,今年在哈尔滨与山西省,经济部官员表示,哈尔滨将以LED庭院灯为主,这是继厦门千盏LED路灯后,第二个试点路灯的区域;山西省则是采取LED室内灯泡(球泡灯),主打古迹照明,由于LED灯泡是低温冷光,相较于传统灯泡,热度不高,不会伤害到古迹。
产品特点:光效高80W防爆LED灯 85W防爆LED投射灯
密封性能可靠,外壳防护等级为IP66。
透明件采用防弹胶,抗强力冲击,耐高温、耐腐蚀、透光性好。
灯具采用不锈钢螺钉配件,防腐防锈,可长期在户外使用。
隔爆型防爆灯具,能在1区、2区环境中安全使用。
采用国际品牌的LED光源,光效高、光衰低,使用寿命长达100000小时。
自行设计的LED控制电路,性能稳定可靠。 
外壳采用高强度抗冲击的压铸铝合金材料,表面环保防腐处理,耐老化、耐腐蚀、耐高温。
灯具工作,与同功率传统的白炽灯相比,整体节能80%,真正实现绿色照明。
吸顶、弯管、壁挂等多种安装方式,适用于不同工作现场的照明需要。
技术参数:
额定电压:AC220v,DC24V 36V
额定功率:10w 20w 30w 40w 50w 60w 70w 80w 90w 100w 110w 120w 130w 140w
150w 160w 170w 180w 190w 200w 210w 220w 230w 250w 300w 400w 500w
光通量 :2000-2200
光衰时间:3/10000
色  温:6000~6500
防爆标志:EXdIIBT4/T6
执行标准:GB3836.1-2000、GB3836.2-2000、IEC60079
防护等级:IP65
防腐等级:WF2
灯具型材:ADC12铝
玻璃材料:10mm
温州
LED防爆灯发光原理:
LED即发光二极管,是一种固态的半导体器件,它可以直接电能转化成光。LED的核心是一个半导体晶片,半导体晶片由两部分组成,一部风是P型半导体,
在它里面空穴占主导位置,另一端是N型半导体,在这里面主要是电子,两种半导体连接起来的时候,它们之间就形成一个P-N结,当电流通过导线作用于晶片时,
电子就会被推向P区,在P区里电子根空穴复合,就会以光子的形式发出可见光。
发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,
即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。
进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光。
假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,
还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。
理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即
λ≈1240/Eg(mm)
式中Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。
现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普遍。

浙江雅明防爆科技有限公司 7年

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