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MGF4964BL-01特征： f=20GHz 时的高相关增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。低噪声放大器芯片（Low Noise Amplifier，简称LNA）是一种用于放大微弱信号的集成电路芯片。降低器件本身的噪声..04月29日 -
MGF4964BL-01质量等级：GG MGF4964BL-01偏置条件： VDS=2V，内径=10mA噪声是所有电子元件不可避免的特性，而放大器在信号放大的同时也会放大噪声。因此，设计低噪声放大器是为了在尽可能大的..04月29日
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0.80元BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz频率范围内的基站和多载波应用的射频功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ典型性能： 非对称Doherty演示电路在Tcase= 25°C时的典型射频性能。VDS = 30v;IDq..04月29日
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0.80元BLC10G19XS-551AVZ特性： 1.优异的耐用性 2.高效率 3.低耐热性，提供优异的热稳定性。BLC10G19XS-551AVZ特性： 7.集成ESD保护 8.有关RoHS合规性 #BLC10G19XS-551AVZ测试电路： 印刷电路板(PCB..04月29日
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MGF4964BL-01特征： f=20GHz 时的高相关增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。低噪声 主要用于无线通信系统（如无线电、移动通信、卫星通信等），其中接收机需要将微弱的无线信号放大到足够..04月29日
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MGF4964BL-01特征： f=20GHz 时的高相关增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。低噪声放大器芯片（Low Noise Amplifier，简称LNA）是一种用于放大微弱信号的集成电路芯片。低噪声 主要用于无..04月29日
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0.80元BLC10G19XS-551AVZ特性： 4.更低的输出电容，提高了Doherty应用中的性能 。。。。BLC10G19XS-551AVZ特性： 7.集成ESD保护 8.有关RoHS合规性 #BLC10G19XS-551AVZ#BLC10G19XS-551AVZ；#Ampleon..04月29日
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：MGF4964BL-01： 1、设计用于K波段放大器； 2、微X型塑料封装。MGF4964BL-01超低噪声 InGaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)设计用于K波段放大器。。。低噪声放大器芯片通过优化电路设计和使用高..04月29日
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0.80元BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz频率范围内的基站和多载波应用的射频功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ特性： 1.优异的耐用性 2.高效率 3.低耐热性，提供优异的热稳定性。#BLC10G19XS-5..04月29日
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0.80元BLC10G19XS-551AVZ特性： 4.更低的输出电容，提高了Doherty应用中的性能 。。。。BLC10G19XS-551AVZ 功率LDMOS晶体管 Ampleon BLC10G19XS-551AVZ 550w LDMOS封装的不对称Doherty功率晶体管..04月29日
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：MGF4964BL-01： 1、设计用于K波段放大器； 2、微X型塑料封装。MGF4964BL-01超低噪声 InGaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)设计用于K波段放大器。。。MGF4964BL-01特征： f=20GHz NFmin 时的低噪..04月29日
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BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz频率范围内的基站和多载波应用的射频功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ典型性能： 非对称Doherty演示电路在Tcase= 25°C时的典型射频性能。VDS = 30v;IDq..04月29日
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：MGF4964BL-01： 1、设计用于K波段放大器； 2、微X型塑料封装。MGF4964BL-01超低噪声 InGaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)设计用于K波段放大器。。。MGF4964BL-01特征： f=20GHz NFmin 时的低噪..04月29日
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BLC10G19XS-551AVZ特性： 4.更低的输出电容，提高了Doherty应用中的性能 。。。。BLC10G19XS-551AVZ特性： 5.专为低内存效应而设计，提供数字预失真能力 6.内部匹配，便于使用BLC10G19XS-551A..04月29日
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：MGF4964BL-01： 1、设计用于K波段放大器； 2、微X型塑料封装。MGF4964BL-01超低噪声 InGaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)设计用于K波段放大器。。。低噪声放大器芯片（Low Noise Amplifier，简..04月29日
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BLC10G19XS-551AVZ特性： 1.优异的耐用性 2.高效率 3.低耐热性，提供优异的热稳定性。BLC10G19XS-551AVZ特性： 4.更低的输出电容，提高了Doherty应用中的性能 。。。。BLC10G19XS-551AVZ 功..04月29日
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BLC10G19XS-551AVZ特性： 5.专为低内存效应而设计，提供数字预失真能力 6.内部匹配，便于使用Doherty操作的坚固性 BLC10G19XS-551AV在VOS=30V的条件下，能承受与VSWR=10:1相对应的负载失配:LD..04月29日
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MGF4964BL-01特征： f=20GHz NFmin 时的低噪声系数。=0.65 分贝(典型值)。。。低噪声 主要用于无线通信系统（如无线电、移动通信、卫星通信等），其中接收机需要将微弱的无线信号放大到足够的..04月29日
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BLC10G19XS-551AVZ典型性能： 非对称Doherty演示电路在Tcase= 25°C时的典型射频性能。VDS = 30v;IDq= 370 mA(main)；VGS(amp)峰值= 0.85 V，除非另有说明。BLC10G19XS-551AVZ特性： 4.更低的..04月29日
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MGF4964BL-01质量等级：GG MGF4964BL-01偏置条件： VDS=2V，内径=10mAMGF4964BL-01特征： f=20GHz NFmin 时的低噪声系数。=0.65 分贝(典型值) f=20GHz 时的高相关增益 Gs =13.5dB(典型值。) ..04月29日
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