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87000.00元随着新一代IGBT芯片及功率密度的进一步提高，对功率电子模块及其封装工艺要求也越来越高，特别是芯片与基板的互连技术很大程度上决定了功率模块的寿命和可靠性。传统钎焊料熔点低、导热性差，..04月30日
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89000.00元而在电动车辆中，电力电子器件必须节省空间、重量轻、并且即使在恶劣的条件下也要工作可靠。为了满足这些要求，传统基于模块的封装方式已经不能适应下游市场发展的需要，第一个难题：烧结银膏..04月30日
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89000.00元目前尽可能从机械方面集成电力电子系统所有的功能，碳化硅、氮化镓（射频／非射频）模块封装也向着更高的集成度方向发展。第一个难题：烧结银膏技术 在芯片与基板的连接中，传统有基板焊接功..04月30日
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89000.00元同时在此基础上开发出双面银烧结技术，将银带烧结在芯片正面代替了铝线，或取消底板将基板直接烧结在散热器上，大大简化了模块封装的结构。芯片连接采用银烧结合金而不是焊接，烧结连接熔点更..04月30日
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89000.00元与传统的高温无铅钎料相比，AS9385有压银烧结技术烧结连接层成分为银，具有优异的导电和导热性能，由于银的熔点高达961℃，将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连层中出现的典型疲劳效应，具有极高..04月30日
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87000.00元传统钎焊料熔点低、导热性差，难以满足高功率器件封装及其高温应用要求。此外随着第三代半导体器件（如碳化硅和氮化镓等）的快速发展，对封装的性能方面提出了更为严苛的要求。AS9385有压银烧..04月30日
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87000.00元传统钎焊料熔点低、导热性差，难以满足高功率器件封装及其高温应用要求。此外随着第三代半导体器件（如碳化硅和氮化镓等）的快速发展，对封装的性能方面提出了更为严苛的要求。AS9385有压银烧..04月30日
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89000.00元烧结银可以解决现有存在的五个难题 总所周知，不论是碳化硅模块还是硅IGBT，电力电子发展总体目标是提高功率（电流，电压）——降低半导体控制和开关时损耗——扩展工作温度的范围——提高使用寿命..04月30日
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89000.00元烧结银可以解决现有存在的五个难题 总所周知，不论是碳化硅模块还是硅IGBT，电力电子发展总体目标是提高功率（电流，电压）——降低半导体控制和开关时损耗——扩展工作温度的范围——提高使用寿命..04月30日
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89000.00元与传统的高温无铅钎料相比，AS9385有压银烧结技术烧结连接层成分为银，具有优异的导电和导热性能，由于银的熔点高达961℃，将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连层中出现的典型疲劳效应，具有极高..04月30日
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87000.00元SHAREX的AS9385银烧结技术也被成为低温连接技术（Low temperature joining technique,LTJT），作为一种新型无铅化芯片互连技术，AS9385烧结银可在低温（＜250℃）条件下获得耐高温（＞700℃）和..04月30日
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89000.00元烧结银可以解决现有存在的五个难题 总所周知，不论是碳化硅模块还是硅IGBT，电力电子发展总体目标是提高功率（电流，电压）——降低半导体控制和开关时损耗——扩展工作温度的范围——提高使用寿命..04月30日
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87000.00元传统钎焊料熔点低、导热性差，难以满足高功率器件封装及其高温应用要求。此外随着第三代半导体器件（如碳化硅和氮化镓等）的快速发展，对封装的性能方面提出了更为严苛的要求。AS9385有压银烧..04月30日
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89000.00元目前，银烧结技术成为国内外第三代半导体封装技术中应用最为广泛的技术，美国、日本等碳化硅模块生产企业均采用此技术。同时在此基础上开发出双面银烧结技术，将银带烧结在芯片正面代替了铝线..04月30日
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89000.00元第一个难题：烧结银膏技术 在芯片与基板的连接中，传统有基板焊接功率模块中，焊接连接往往是模块上的机械薄弱点。目前SHAREX开发的银烧结技术已经由微米银烧结进入纳米银烧结阶段，纳米加压..04月30日
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89000.00元而在电动车辆中，电力电子器件必须节省空间、重量轻、并且即使在恶劣的条件下也要工作可靠。为了满足这些要求，传统基于模块的封装方式已经不能适应下游市场发展的需要，目前，银烧结技术成为..04月30日
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89000.00元第一个难题：烧结银膏技术 在芯片与基板的连接中，传统有基板焊接功率模块中，焊接连接往往是模块上的机械薄弱点。连接温度和辅助压力均有明显下降，极大扩大了工艺的使用范围。在银烧结技术..04月30日
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