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温馨提示:本公司为一般纳税人,可开17%增值税,统一社会信用代码 91350524M0000J117N 注意:采购为型号为准,图片参考,市场价格不稳定,价格当天报价为准确,其他型号或者下单前,先联系我04月30日
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温馨提示:本公司为一般纳税人,可开13%增值税,统一社会信用代码91350524MA32TRL93U 注意:采购为型号为准,图片参考,市场价格不稳定,价格当天报价为准确,其他型号或者下单前,先联系我04月30日
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吸收电容在电路中起的作用类似于低通滤波器,可以吸收掉尖峰电压。通常用在有绝缘栅双极型晶体管(IGBT),消除由于母排的杂散电感引起的尖峰电压,避免绝缘栅双极型晶体管的损坏。 双面金属..01月11日
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吸收电容在电路中起的作用类似于低通滤波器,可以吸收掉尖峰电压。通常用在有绝缘栅双极型晶体管(IGBT),消除由于母排的杂散电感引起的尖峰电压,避免绝缘栅双极型晶体管的损坏。 双面金属..01月11日
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吸收电容在电路中起的作用类似于低通滤波器,可以吸收掉尖峰电压。通常用在有绝缘栅双极型晶体管(IGBT),消除由于母排的杂散电感引起的尖峰电压,避免绝缘栅双极型晶体管的损坏。 双面金属..01月11日
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B32656S7185K562薄膜电容器 FILM CAP MKP SNUBBER 1.8uF 10% 1250Vdc制造商: TDK 产品种类: 薄膜电容器 RoHS: 详细信息 系列: B32656S 端接类型: Solder Lug 产品: Snubber Film Capacitors ..01月11日
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B32656S0125K565薄膜电容器 1.2uF 1000volts 10% ESR 5.0mOhms Term=T5制造商: TDK 产品种类: 薄膜电容器 RoHS: 详细信息 系列: B32656S 端接类型: Lug 产品: Snubber Film Capacitors 电介..01月11日
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TDK突波吸收电容0.33uF/2KV/10%/B32656S2334K561薄膜电容器 0.33uF 2KV 10%制造商:EPCOS / TDK产品种类:薄膜电容器RoHS: 详细信息系列:B32656S端接类型:Lug产品:Snubber Film Capacitors电介..01月11日
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TDK车规级1.2uF/1000volts/10%膜电容B32656S0125K561薄膜电容器 1.2uF 1000volts 10% ESR 5.0mOhms Term=T1制造商:EPCOS / TDK产品种类:薄膜电容器RoHS: 详细信息系列:B32656S端接类型:Lug产..01月11日
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B32656S1474K562薄膜电容器 FILM CAP MKP SNUBBER 0.47uF 10% 1600Vdc制造商: EPCOS / TDK 产品种类: 薄膜电容器 RoHS: 详细信息 系列: B32656S 端接类型: Lug 产品: Snubber Film Capacito..01月11日
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北京友盛代理供应TDK吸收电容B32656S7105K561B32656S7105K561 薄膜电容器 1.0uF 1250volts 10% ESR 6.0mOhms Term=T1 制造商: EPCOS / TDK 产品种类: 薄膜电容器 RoHS: 详细信息 系列: B326..01月11日
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15.00元B32656S7105K418G 薄膜电容器 1.0uF 1250volts 10% ESR 6.0mOhms Term=T1 制造商: EPCOS / TDK 产品种类: 薄膜电容器 吸收电容 系列: B32656S 端接类型: Lug 产品: Snubber Film Capacitors ..01月11日
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美国CDE 吸收电容941C12P22K-F找不到而纠结吗,那就马上联系我,只要你提供品牌和型号我们就可以为您提供报价!吴工:15059812725 Q Q : 3514475293。 天然气传感器 迪创 Model:CGSS..03月22日
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品牌 WB 久亦 型号 MKP-IS 224K1000V 系列 MKP 标称容量 0.22uf 容差 10(%) 额定电压 1000(V) 工作温度范围 -40℃ ~ +85℃ 应用范围 高压 端接类型 铜端子引出 安装类型 接线片 封装/外..03月10日
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正确选择薄膜电容有哪些重要性? 使用电容产品的时候要了解产品的特性,这样才可以利用产品的性能 如果所使用的产品的性能不存在问题,一旦操作失误就会造成毁灭性的结果 因此在使用的过程中..01月11日
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吸收电容在电路中起的作用类似于低通滤波器,可以吸收掉尖峰电压。通常用在有绝缘栅双极型晶体管(IGBT),消除由于母排的杂散电感引起的尖峰电压,避免绝缘栅双极型晶体管的损坏。 双面金属..01月11日
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原理有开关过程中的漏电流、晶体管开关过程中的反向恢复时间等。 1、开关过程中的漏电流:在IGBT模块工作时,如果开关速度足够快,会产生大量瞬态漏电流,并在导通状态下引入大量电荷,这些电..01月11日
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薄膜电容器有哪些结构优点? 薄膜电容的作用:一般用于高频滤波、高频旁路、一阶或二阶滤波电路。 薄膜电容的主要优点:绝缘电阻高,耐热性好。具有自愈性和无感特性。具有优良的高频绝缘性能..01月11日
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