氧化锌电子迁移率

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  • 全球及中国高电子迁移率晶体管行业发展动态及投资前景趋势报告
    全球及中国高电子迁移率晶体管行业发展动态及投资前景趋势报告2021~2027年 【报告编号】:398279 【出版时间】: 2021年8月 【出版机构】: 华研中商研究网 【报告价格】:【纸..
    04月29日
  • 全球与中国高电子迁移率场效晶体管市场分析及前景研究报告
    全球与中国高电子迁移率场效晶体管市场分析及前景研究报告2020~2025年 【报告编号】: 365765 【出版时间】: 2020年4月 【出版机构】: 华研中商研究院 【交付方式】: EMIL电子版或特快专..
    04月29日
  • ABB	SD812F	DCS模块
    ABB SD812F DCS电源模块国内对静电除尘高压直流电源进行了研制,市电经整流变为直流,采用全桥零电流开关串联谐振逆变电路将直流电压逆变为高频电压,然后由高频变压器升压,后整流为直流高压。在..
    04月29日
  • 伊顿穆勒	PKZM0-6.3	开关
    高频逆变式整流焊机电源是一种、、省材的新型焊机电源,代表了当今焊机电源的发展方向。由于IGBT大容量模块的商用化,这种电源更有着广阔的应用前景。逆变焊机电源大都采用交流-直流-交流-直流(..
    04月29日
  • MGF4964BL-01微X型封装高电子迁移率选型表
    MGF4964BL-01包装信息 磁带和卷轴 4000 个/卷轴 通过无铅认证 MGF4964BL-01是符合 RoHS 标准的产品。MGF4964BL-01特征: f=20GHz NFmin 时的低噪声系数。=0.65 分贝(典型值) f=20GHz 时的高..
    04月29日
  • MGF4964BL-01微X型封装高电子迁移率功率
    MGF4964BL-01特征: f=20GHz NFmin 时的低噪声系数。=0.65 分贝(典型值)。。。MGF4964BL-01质量等级:GG MGF4964BL-01偏置条件: VDS=2V,内径=10mA低噪声 主要用于无线通信系统(如无线电、..
    04月29日
  • MGF4964BL-01微X型封装高电子迁移率能耗
    MGF4964BL-01特征: f=20GHz 时的高相关增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。MGF4964BL-01包装信息 磁带和卷轴 4000 个/卷轴 通过无铅认证 MGF4964BL-01是符合 RoHS 标准的产品。低噪声放..
    04月29日
  • MGF4964BL-01微X型封装高电子迁移率电压
    :MGF4964BL-01: 1、设计用于K波段放大器; 2、微X型塑料封装。MGF4964BL-01超低噪声 InGaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)设计用于K波段放大器。。。MGF4964BL-01特征: f=20GHz 时的高相关增益..
    04月29日
  • MGF4964BL-01微X型封装高电子迁移率产品特性
    MGF4964BL-01特征: f=20GHz NFmin 时的低噪声系数。=0.65 分贝(典型值)。。。MGF4964BL-01特征: f=20GHz 时的高相关增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。低噪声放大器的设计目标是将噪声..
    04月29日
  • MGF4964BL-01微X型封装高电子迁移率接收距离
    MGF4964BL-01特征: f=20GHz 时的高相关增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。MGF4964BL-01包装信息 磁带和卷轴 4000 个/卷轴 通过无铅认证 MGF4964BL-01是符合 RoHS 标准的产品。低噪声放..
    04月29日
  • MGF4964BL-01微X型封装高电子迁移率待机电流
    :MGF4964BL-01: 1、设计用于K波段放大器; 2、微X型塑料封装。MGF4964BL-01超低噪声 InGaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)设计用于K波段放大器。。。MGF4964BL-01特征: f=20GHz 时的高相关增益..
    04月29日
  • MGF4964BL-01微X型封装高电子迁移率数据手册
    低噪声放大器芯片(Low Noise Amplifier,简称LNA)是一种用于放大微弱信号的集成电路芯片。低噪声放大器的设计目标是将噪声功率降到最小,以提高信号与噪声之间的信噪比。为了实现这一目标,..
    04月29日
  • MGF4964BL-01微X型封装高电子迁移率发射距离
    :MGF4964BL-01: 1、设计用于K波段放大器; 2、微X型塑料封装。MGF4964BL-01超低噪声 InGaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)设计用于K波段放大器。。。低噪声放大器芯片通过优化电路设计和使用高..
    04月29日
  • MGF4964BL-01微X型封装高电子迁移率代理商
    :MGF4964BL-01: 1、设计用于K波段放大器; 2、微X型塑料封装。低噪声放大器芯片(Low Noise Amplifier,简称LNA)是一种用于放大微弱信号的集成电路芯片。使用合适的增益控制和反馈技术。增..
    04月29日
  • MGF4964BL-01微X型封装高电子迁移率参考数据
    MGF4964BL-01包装信息 磁带和卷轴 4000 个/卷轴 通过无铅认证 MGF4964BL-01是符合 RoHS 标准的产品。MGF4964BL-01特征: f=20GHz NFmin 时的低噪声系数。=0.65 分贝(典型值) f=20GHz 时的高..
    04月29日
  • MGF4964BL-01微X型封装高电子迁移率功耗
    :MGF4964BL-01: 1、设计用于K波段放大器; 2、微X型塑料封装。低噪声放大器芯片(Low Noise Amplifier,简称LNA)是一种用于放大微弱信号的集成电路芯片。低噪声放大器的设计目标是将噪声功..
    04月29日
  • MGF4964BL-01微X型塑料封装高电子迁移率接收距离
    MGF4964BL-01特征: f=20GHz NFmin 时的低噪声系数。=0.65 分贝(典型值)。。。MGF4964BL-01特征: f=20GHz 时的高相关增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。低噪声放大器的主要功能是将信号..
    04月29日
  • MGF4964BL-01微X型塑料封装高电子迁移率电压
    MGF4964BL-01特征: f=20GHz 时的高相关增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。降低器件本身的噪声。选择低噪声元件和设计合理的电路结构,以降低器件本身带来的噪声贡献。优化放大器的输入和..
    04月29日
  • MGF4964BL-01微X型塑料封装高电子迁移率功耗
    :MGF4964BL-01: 1、设计用于K波段放大器; 2、微X型塑料封装。MGF4964BL-01特征: f=20GHz NFmin 时的低噪声系数。=0.65 分贝(典型值)。。。MGF4964BL-01特征: f=20GHz 时的高相关增益 Gs ..
    04月29日
  • MGF4964BL-01微X型塑料封装高电子迁移率功率
    MGF4964BL-01特征: f=20GHz NFmin 时的低噪声系数。=0.65 分贝(典型值)。。。MGF4964BL-01特征: f=20GHz 时的高相关增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。MGF4964BL-01特征: f=20GHz NFmi..
    04月29日
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