新能源车的高速发展，带动不断增大的激光器和驱动芯片功率，对散热提出了更高的挑战。半烧结银AS9330是连接半导体晶体管和元器件的关键材料，起到导电和导热的作用，影响元器件电路导通、功能实现及稳定性。
而烧结技术通过高温使AS9330表面原子互相扩散，从而形成致密结构的过程，也称之为“低温烧结技术”。加入纳米银粒子的低温烧结技术大大提升了导热及导电性能，可满足对于第三代半导体高功率器件的电子互联应用。
半烧结银AS9330是为芯片粘接提供了一种无铅(LEAD FREE)的替代方案，适用于高功率密度半导体封装, 符合RoHS要求。
AS9330半烧结银无需高温高压，可以在175度至200度温度范围下低温烧结并且粘接力稳定。剪切强度高达45MPA。
半烧结银AS9330和普通银材料相比有更全面的导热和可操作性能 ，AS9330使用制程简便，与普通导电银胶工艺相似。
半烧结银AS9330的工艺流程如下：1 清洁芯片和被粘结的界面2 假设界面表面能太低，建议提高界面表面能.
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