烧结银技术被定位为继焊料之后的次世代接合技术，由于比焊料更能耐受高温，具有的散热性，可望适用于电动车(EV)、碳化硅(SiC)功率半导体等用途。
但相对于焊料在回焊(Reflow)时可快速接合，很多国外的烧结银则须利用装置进行加压制程，因此有生产效率的问题，且加压装置会增加投资成本。
善仁新材开发的功率器件烧结银能适用于无加压的低温烧结，具有使用上的便利性。且即使是在无加压的氮气氛围下进行烧结，亦能发挥的接合强度与导电率。氮气氛围下230-250℃、1小时的剪切强度为20 MPa以上，空气条件下230-250℃、1小时的剪切强度则为45 MPa以上，而在空气条件下200℃、1小时的接合强度是40 MPa以上。
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