白色、无臭、无味、的粉状物，俗称“塑料王”。具有优良的化学稳定性、耐腐蚀性、密封性、高润滑不粘性、电绝缘性和良好的耐力。耐高温，使用工作温度达250℃。耐低温，低温下具有良好的机械韧性，即使温度下降到－196℃，也可保持5%的伸长率。耐腐蚀，对大多数化学药品和溶剂表现出惰性，能耐强酸强碱、水和各种有机溶剂。耐候性好，有塑料中佳的老化寿命。高润滑，是固体材料中摩擦系数低者。不黏附，是固体材料中表面张力小者，不黏附任何物质。
优点
1.外观纯白色。
2.耐高低温性：可使用温度-200℃～＋250℃。
3.耐腐蚀：耐强酸、强碱、王水和各种有机溶剂，且无溶出、吸附和析出现象。
4.防污染：金属元素空白值低。
5.绝缘性：不受环境及频率的影响，介质损耗小，击穿电压高。
6.耐大气老化，耐辐照和较低的渗透性。
7.自润滑性：具有塑料中小的摩擦系数。
8.表面不粘性：是一种表面能小的固体材料。
晶圆单片清洗花篮,包括调节杆和托盘,调节杆包括圆柱杆和第二圆柱杆,第二圆柱杆和托盘固定连接,托盘底部设有通孔,托盘边缘设有环形凸起,环形凸起上设有若干个缺口,托盘上设有台阶，且台阶位于环形凸起上的一个缺口上,托盘上圆周分布有三个挡板,挡板下端固定连接有限位块，限位块下端固定连接有定位块，挡板滑动连接有滑动凹槽,限位凹槽上均匀的设有多个定位凹槽,定位凹槽的大小与定位块相匹配。
大直径晶片的清洗采用上述方法不好其清洗过程的完成，通常采用单晶片清洗法，其清洗过程是在室温下重复利用DI-O 3/DHF清洗液，臭氧化的DI水（DI-O3 ）产生氧化硅，稀释的HF蚀刻氧化硅，同时清除颗粒和金属污染物。根据蚀刻和氧化的要求采用较短的喷淋时间就可获得好的清洗效果，不会发生交叉污染。后冲洗不是采用DI水就是采用臭氧化DI水。为了避免水渍，采用浓缩大量氮气的异丙基乙醇（IPA）进行干燥处理。单晶片清洗具有或者比改良的RCA清洗更好的清洗效果，清洗过程中通过采用DI水及HF的再循环利用，降低化学品的消耗量，提高晶片成本效益。
硅片清洗花篮及提把耐强酸，强碱，耐有机溶剂，质地柔软，不损伤硅片，不沾污硅片。专为半导体光伏光电等行业设计的，一体成型，无需担心漏液。主要用于浸泡、清洗带芯片硅片电池片的花篮。由于PFA的特点它能耐受清洗溶液的腐蚀性，同时金属元素空白值低，无溶出无析出，不会污染芯片晶圆等。
PTFE材料具有固体材料中小的表面张力，不粘附任何物质，同时还具有耐高低温优良的特性，从而使其在诸如制造不粘锅的防粘方面的应用非常广泛。其防粘工艺主要包括两种：把PTFE部件或薄片安装在基体上，以及把PTFE涂层或与玻璃复合的漆布经过热收缩而套在基材上。
随着材料应用技术的不断发展，PTFE材料的三大缺点：冷流性、难焊接性、难熔融加工性正在逐渐被克服，从而使它在光学、电子、医学、石油化工输油防渗等多种领域的应用前景更加广阔。
PTFE在化工中的另一大应用是密封材料。由于聚四氟乙烯综合性能良好,是任何一种密封材料都不可比拟的, 它可用于各种苛刻场合的密封,尤其是对于高温、耐腐蚀性要求较高时。聚四氟乙烯生料带纤维长、强度高,而且塑性大、压延性好,施加较小的压紧力就可完全密封,操作应用方便,用在凹凸不平或结构精密的表面更显其,具有很好的密封性能并且可提高抗腐蚀能力, 扩大其使用范围。
PTFE的机械性能相对于其他塑料差一些，但在-73℃至204℃宽温度范围内，其性能仍保持在有用的水平。通常通过添加一些填充物来增加其机械性能，它具有非常的热电绝缘性能并且摩擦系数很低。PTFE非常致密且不能进行熔融加工，将其压缩并烧结以形成有用的形状。
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