在成型技术也相当困难，由于电镀银是局部镀银，相较于全镀，部分镀银技术很难，做模具，且放置芯片处用局部银，一个导线架搭两个芯片，芯片局部银，其他引线框架用镍钯金，材料差异对引线框架制作是很大的技术挑战。
众所周知，在单管封装中，影响器件Rth(j-c)热阻的主要是芯片、焊料和基板。SiC芯片材料的导热率为370W/(m.K)，远IGBT的Si(124W/(m.K))，甚至超过金属铝(220W/(m.K))，与Lead Frame的铜(390 W/(m.K))非常接近。而一般焊料的导热率才60 W/(m.K)左右，典型厚度在50-100um，所占整个器件内部Rth(j-c)热阻之权重，是不言而喻的。
GVF预烧结银焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）的使用方法为：Pick & Place；
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