整流二极管常用参数：
1、大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A；
2、高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4002-1n4006分别为100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR为1000V；
3、大反向电流IR：它是二极管在高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好；
4、击穿电压VB：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值；
5、高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。另有快恢复二极管用于频率较高的交流电的整流，如开关电源中；
6、反向恢复时间trr：指在规定的负载、正向电流及大反向瞬态电压下的反向恢复时间；
7、零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA，而在100°C时IR则变为小于500uA。
整流二极管代换：
整流二极管损坏后，可以用同型号的整流二极管或参数相同其它型号整流二极管代换。
通常，高耐压值（反向电压）的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管，而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。整流电流值高的二极管可以代换整流电流值低的二极管，而整流电流值低的二极管则不能代换整流电流值高的二极管。
整流二极管的根本构造是 PN 结 （ P 型半导体和 N 型半导体联系后 ， 在两者的联系而构成一个很薄的空间电荷区，这就是PN结）。在 PN 结的空间电荷内 ，电子元件势能发生了变化 ，电子要从 N 区到 P 区有必要越过一个能量高坡 （ 通常称为势垒） ，因而又把空间电荷区称为势垒区 。当PN结加正向电压时，势垒降低，呈现低电阻，具有较大的正向分散电流，称该状况为正导游通状况。当PN结加反向电压时，势垒增加，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流 ，称该状况为反向阻断状况 ，此刻 PN 结处于反向偏置状况。
整流二极管是由硅半导体材料制成的，采用面接触型二极管结构，如图一所示。由于采用面接触结构，硅整流二极管的特点是工作频率低、允许的工作温度高，允许通过的正向电流大，反向击穿电压高。整流二极管在电路中的主要作用是将交流电变成直流电，以适应各种电子设备。
整流二管使用注意事项：
1、引线成型打弯时，在引线打弯处用夹具固定夹紧引线，不能固定夹紧塑封管体，以防止将机械应力直接施加在管体和引线的结合部位；
2、引线打弯距离管体3mm以外处进行；
3、引线弯曲角度不能大于90°，不能使引线反复弯折；
4、切断和成型的工具，不能损伤引线表面的镀层；
5、器件允许耐焊接热的条件是260℃以下，持续时间不超过10秒。焊接时应在距离本体至少2mm以上进行。浸锡温度不超过260℃，时间不超过10秒；
6、PCB焊接助焊剂时，请采用中性助焊剂，同时进行必要的清洗，除去多余的焊剂；
7、波峰焊时，请设置充分的预热区，预热时间建议在30～60s范围，以缓解热冲击；
8、回流焊接条件JEDEC标准（预热温度为125±25℃，预热时间为120±30s；183℃以上持续时间为105±45s；峰值温度为235+5/-0℃，持续时间为10～20s。大温度上升速率3℃/s，冷却速率为6℃/s）；
9、用电烙铁浸锡时，电烙铁头的温度不得超过300℃，焊接时间应小于10秒。并在电烙铁与器件之间用金属镊子夹住，以减少热量直接传向器件内部；
10、对于表贴器件应使用回流焊，常用的焊接方式有对流回流、气相回流、远红外回流。回流焊接过程为预热、回流焊接、冷却三个阶段。回流焊接条件JEDEC标准（预热温度为125±25℃，预热时间为120±30s；183℃以上持续时间为105±45s；峰值温度为235+5/-0℃，持续时间为10～20s。大温度上升速率3℃/s，冷却速率为6℃/s）。
早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个
PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲，
晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间
电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流
和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。
晶体二极管，简称二极管（diode）；它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个
零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。晶体
二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有
自建电场。当不存在外加电压时，由于PN 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引
起的漂移电流相等而处于电平衡状态
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