纳米烧结银做为SiC芯片封装的互连层研究总结
IGBT功率器件被广泛用于新能源电车、车载逆变器上，做主要的控制元器件，而以SiC为代表的第三代半导体材料所制成的功率器件能够承受500℃左右甚至更高的温度，比Si小近千倍的导通电阻，多20倍左右的开关频率等性。
善仁新材纳米烧结银互连结构成型原理及微观结构
纳米颗粒具有特的性能，其比表面积小并且表面曲率半径小，这种特性赋予了它具有比常规的粉体更低的熔点和焊接温度。根据善仁新材研究院的经验得知：纳米银在粒径尺度在10nm以下时，它的烧结温度能降低到100℃以下，比块状时候的熔点的961℃低了800℃以上。与块状银微观结构不同是，纳米烧结银互连层是属于微孔材料，即在其内部分布有众多的微孔隙，微孔隙的尺寸位于亚微米至微米范围间。
善仁新材的纳米烧结银互连层的制作工艺
其工艺主要包括：
① 在覆铜（Cu）基板上涂覆或者丝网印刷纳米烧结银，将芯片放置在纳米银膏上；
③烧结完成后形成SiC-Cu基板纳米烧结银互连层。可以看到，善仁新材的纳米银烧结互连层是碳化硅功率器件封装的关键结构单元，属于薄层结构，其厚度范围一般为20～50μm。SiC芯片和Cu基板表面可以通过镀银、金等烧结工艺提升其互连层的连接强度。
另外，善仁新材研究院发现：较大面积的互连会导致较差的互连质量，其原因是增加的互连面积阻止了有机成分被燃尽，会导致更高的的孔隙率，针对这种现象，善仁新材提出了两个解决方案：
烧结纳米银导热率及孔隙关系
孔隙对于热传导性能的影响会很大，善仁新材发现：纳米烧结银热流密度分布不均匀，有孔隙的地方会使得周围的热流密度变低，并且随着孔隙率的增加，等效热导率依次减少。空隙率越低，导热系数越高，空隙率越高，导热系数越低。
加压烧结银膏纳米烧结银膏有压烧结银膏厂家
89000元
产品名：有压烧结银膏,纳米烧结银膏,有压烧结银,烧结银膏
半烧结导电胶,无压烧结银,银烧结
189000元
产品名：烧结银膏,无压烧结银,纳米烧结银,低温烧结银,烧结银膏
善仁可拉伸导电油墨,浙江订制智能家居和导电油墨解决方案安全可靠
12000元
产品名：导电油墨在智能家居的应用,导电银浆,可拉伸导电油墨,纳米银浆
Alwaystone高导热银胶,江苏环保高导热导电银胶
9980元
产品名：高导热导电银胶,导热银胶,高导热银胶
Alwaystone烧结纳米银膏纳米银膏
118元
产品名：烧结纳米银膏,纳米银膏,纳米银
低温烧结纳米银胶
2600000元
产品名：银胶,烧结银
透明导电油墨
28000元
产品名：导电油墨,导电银浆
导电银浆
12000元
产品名：导电银浆