可控硅有多种分类方法:
1、按关断、导通及控制方式分类:可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅(GTO)、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种;
2、按引脚和极性分类:可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅;
3、按封装形式分类:可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中,金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种;
4、按电流容量分类:可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三种。通常,大功率可控硅多采用金属壳封装,而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装;
5、按关断速度分类:可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频(快速)可控硅;
6、过零触发-一般是调功,即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发,是过零点才触发,导通可控硅;
7、非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅,常见的是移相触发,即通过改变正弦交流电的导通角(角相位),来改变输出百分比。
可控硅主要参数:电流
1、额定通态电流即大稳定工作电流,俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
2、反向重复峰值电压或断态重复峰值电压,俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏;
3、控制极触发电流,俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安;
4、在规定环境温度和散热条件下,允许通过阴极和阳极的电流平均值。
可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中,多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。
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