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STM32H7A3VGH6Q,ST微控制器32位单片机供应商

更新时间1:2024-06-13 06:48:32 信息编号:fd15pl4o2b131a 举报维权
STM32H7A3VGH6Q,ST微控制器32位单片机供应商
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供应商 深圳市鑫富立科技有限公司 店铺
认证
报价 面议
关键词 ST意法单片机
所在地 南头街道大汪山社区桃源路巷产学研新村22栋502
周玉军
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6年

产品详细介绍

FERD20M60
60 V、20 A 场效应整流二极管 (FERD)该单整流器基于专有技术,可实现V类中的佳效果F/我R给定硅表面的权衡。
该器件采用 TO-220AB 和 I²PAK 封装,旨在用于开关模式电源的整流和续流操作。
ST其他部分单片机MCU型号:
STM32G473RBT6
STM32F411VCT6
STM32F302VCT6
STM32G491KEU6
STM32L451RET6
STM32L452REI6
STM32L433VCI3
STM32G491CEU6
STM32F373VCH6
STM32G474RCT6
STM32G491REI6
STM32L462VEI6
STM32L452REI3
STM32G473CET6
STM32G474CEU6ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。

SCTW35N65G2VAG
汽车级碳化硅功率MOSFET 650 V、45 A、55 mOhm(典型值,TJ = 25 C),采用HiP247封装
这款碳化硅功率MOSFET器件采用意法半导体创新的2德·一代碳化硅MOSFET技术。该器件具有极低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号:
STM32L496QGI3
STM32F423ZHT6
STM32L496ZGT3
STM32L4R5QII6
STM32L4S5QII6
STM32L4R7VIT6
STM32F217IGH6
STM32L4S5ZIT6
STM32F746IGK6
STM32L4R9ZGJ6
STM32F746NGH6
STM32L4S9ZIJ6
STM32F777VIT6
STM32C011J6M6
STM32G030J6M6
ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,我们只做原装,欢迎合作!

STB100N10F7
N 沟道 100 V、0.0068 欧姆(典型值)、80 A STripFET F7 功率 MOSFET,采用 D2PAK 封装
这些 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F7 技术,具有增强的沟槽栅极结构,可实现非常低的导通电阻,同时还降低了内部电容和栅极电荷,从而实现更快、更的开关。
所有功能
在低的R中DS(开启)在市场上
的FoM(品质因数)
低 C.rss/C国际空间站抗扰度比
高雪崩性
ST意法其他部分单片机MCU型号:
STM32C011F4P6
STM32C011F6P6
STM32C031F6P6
STM32C031G6U6
STM32G031J6M6
STM32G050K8T6
STM32L011F3P6
STM32C031C6T6
STM32L011G3U6
STM32G031K6T6
ST/意法常用型号备有大量现货,我们只做原装,欢迎合作!

STB15N80K5
N沟道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET,D2PAK封装
这款压N-沟道功率MOSFET s采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。
所有功能:
业界的低 RDS(on)x 面积
业界出色的品质因数(FoM)
极低的栅极电荷
经过100%雪崩测试
稳压保护
ST意法其他部分单片机MCU型号:
STM32G071C8T6
STM32L031K6T7
STM32L031C6T7
STM32F301K6U6
STM32G071KBT6
STM32G0B0RET6
STM32L052K6U6
STM32G071CBT6
STM32L051K8T6
STM32L071K8U6
STM32L412C8T6
STM32G071GBU3
STM32F301K8U7
STM32G071RBT6
STM32L052C8T6ST/意法常用型号备有大量现货,我们只做原装,欢迎合作!

STD12N60DM2AG
汽车级N沟道600 V、0.370 Ohm典型值、10 A MDmesh DM2功率MOSFET,DPAK封装
STD12NF06LT4
N 沟道 60 V、典型值 70 mOh、12 A、条形场效应晶体管 II 功率 MOSFET,采用 DPAK 封装,该功率MOSFET系列采用意法半导体特的STripFET™工艺开发,该工艺设计用于小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适合用作电信和计算机应用以及具有低栅极电荷驱动要求的应用的隔离式DC-DC转换器的主开关。
ST意法其他部分单片机型号:
STM32L552CET6
STM32F303VCT7
STM32L562CEU6
STM32F411VEH6
STM32L452VET6
STM32L152RET6
STM32L552RET6
STM32L452RET3
STM32L562RET6
STM32G473RET6
STM32L475VET6
STM32G483RET6
STM32F302ZDT6
STM32G474CET3
STM32F732RET6
ST/意法常用型号备有大量现货,我们只做原装,欢迎合作!

STE40NC60
N沟道600V 0.098 Ohm 40A ISOTOP POWERMESH II MOSFET
The PowerMESH™二是代网格覆盖的演变™.引入的布局改进地改善了 Ron* 面积品质因数,同时使器件在速度、栅极电荷和性方面保持。
所有功能:
典型 RDS(打开)= 0.098 Ω
雪崩测试
的DV/dt能力
栅极电荷小化
新的高压基准
ST意法其他部分单片机型号:
STM32G484RET6
STM32L562VET6
STM32F446ZET7
STM32F303ZET7
STM32L476RGT3
STM32H733VGT6
STM32L486ZGT6
STM32F205ZET7
STM32L476VGT3
STM32L496AGI6
STM32F469VET6
STM32L476QGI3
STM32L4A6ZGT6
STM32L4R5QGI6
STM32F415ZGT6
ST/意法常用型号备有大量现货,我们只做原装,欢迎合作!

所属分类:有源器件/专用集成电路

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