善仁新材的纳米烧结银形成的纳米银互连层具有优良的电、热性能，可承受710℃的高工作温度，而且其厚度相比传统的钎焊接头要薄50～80%，是实现SiC功率器件封装的理想互连材料。
③烧结完成后形成SiC-Cu基板纳米烧结银互连层。可以看到，善仁新材的纳米银烧结互连层是碳化硅功率器件封装的关键结构单元，属于薄层结构，其厚度范围一般为20～50μm。SiC芯片和Cu基板表面可以通过镀银、金等烧结工艺提升其互连层的连接强度。
善仁新材研究院通过各种测试得知：纳米烧结银的互连层的空隙大小和空隙率高低和烧结温度，升温速率，保温时间等有密切的关系。
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