STM32F103VBT6特性：
这些器件采用2.0至3.6 V电源供电。它们的工作温度范围为–40至+85°C和–40至+105°C扩展温度范围。一套全面的省电模式允许设计低功耗应用。
STM32F103xx中密度系列包括六种不同封装类型的器件:从36引脚到100引脚。根据所选的器件，包括不同的外设集，下面的描述概述了该系列中建议的所有外设。
这些特性使STM32F103xx中密度系列微控制器适合各种应用，如电机驱动、应用控制、医疗和手持设备、PC和游戏外设、GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVACs。
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STM32F072C8U7
STM32F072R8T6
STM32F071V8T6
STM32F091CBT7
STM32F078RBT6
STM32F091CCT7
STM32F072RBT7
STM32F091CCU6
STM32F098CCT6
STM32F091CCU7
STM32F091VCT7
STM32F042C6T7
STM32F071CBT7
STM32F078CBT6
STM32F072CBU7
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。
STM32F105R8T6特性：
主流互连型ARM Cortex-M3微控制器，具有64 KB闪存、72 MHz CPU、CAN和USB 2.0 OTG
STM32F105xx和STM32F107xx连接系列集成了ARM®皮质®-工作频率为72 MHz的M3 32位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达256千字节的闪存和64千字节的SRAM)，以及连接到两条APB总线的大量增强型I/o和外设。所有器件都提供两个12位ADC、四个通用16位定时器和一个PWM定时器，以及标准和通信接口:多两个I2C、三个SPI、两个i2s、五个USARTs、一个USB OTG FS和两个can。以太网仅适用于STM32F107xx。
ST意法单片机MCU其他型号（部分）：
STM32F050F6P7
STM32F103RBH6
STM32F103VEH6
STM32F101R8T6
STM32F105RCT7
STM32F107RCT7
STM32F103ZDH6
STM32F107VCT7
STM32F103RGT7
STM32F103T8U7
STM32F105VBT6
STM32F107VCH6
STM32F101VGT6
STM32F101VFT6
STM32F101ZCT6ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。
RF2L16180CB4
180 W、28 V、1.3 至 1.6 GHz 射频功率 LDMOS 晶体管
功能
率和线性增益操作
集成静电保护
内部匹配，易于使用
针对多尔蒂应用进行了优化
较大的正负栅极-源极电压范围，可改善 C 类操作
符合欧洲指令 2002/95/EC
ST其他部分单片机型号：
STM32L476RET6
STM32L4P5CET6
STM32F412CGU6
STM32F303VET6
STM32L151QEH6
STM32F413CGU6
STM32L496RET6
STM32L486RGT6
STM32F446ZCJ6
STM32G474QET6
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STB100N10F7
N 沟道 100 V、0.0068 欧姆（典型值）、80 A STripFET F7 功率 MOSFET，采用 D2PAK 封装
这些 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F7 技术，具有增强的沟槽栅极结构，可实现非常低的导通电阻，同时还降低了内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更的开关。
所有功能
在低的R中DS（开启）在市场上
的FoM（品质因数）
低 C.rss/C国际空间站抗扰度比
高雪崩性
ST意法其他部分单片机MCU型号：
STM32C011F4P6
STM32C011F6P6
STM32C031F6P6
STM32C031G6U6
STM32G031J6M6
STM32G050K8T6
STM32L011F3P6
STM32C031C6T6
STM32L011G3U6
STM32G031K6T6
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STE40NC60
N沟道600V 0.098 Ohm 40A ISOTOP POWERMESH II MOSFET
The PowerMESH™二是代网格覆盖的演变™.引入的布局改进地改善了 Ron* 面积品质因数，同时使器件在速度、栅极电荷和性方面保持。
所有功能：
典型 RDS（打开）= 0.098 Ω
雪崩测试
的DV/dt能力
栅极电荷小化
新的高压基准
ST意法其他部分单片机型号：
STM32G484RET6
STM32L562VET6
STM32F446ZET7
STM32F303ZET7
STM32L476RGT3
STM32H733VGT6
STM32L486ZGT6
STM32F205ZET7
STM32L476VGT3
STM32L496AGI6
STM32F469VET6
STM32L476QGI3
STM32L4A6ZGT6
STM32L4R5QGI6
STM32F415ZGT6
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STFH10N60M2
N沟道600 V、0.55 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP宽沿面封装
STFU10N80K5
N沟道800 V、0.470 Ohm典型值、9 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220FP超窄引线封装
这些压 N 沟道功率 MOSFET 采用 MDmesh™ K5 技术设计，该技术基于创新的专有垂直结构。其结果是显著降低导通电阻和低栅极电荷，适用于需要功率密度和率的应用。
ST意法其他部分单片机型号：
STM32G051K6T6
STM32L031F6P7
STM32L031F4P3
STM32L011K4U6
STM32G031C6T6
STM32G031C8U6
STM32L041F6P7
STM32L011K4T6
STM32G031C8T6
STM32G051C8U6
STM32L021K4T6
STM32L010RBT6
STM32G051C8T6
STM32L041K6U6
STM32L031C6T6
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！
MX25V4006EM1I-13G旺宏原装供货
面议
产品名：MXIC/旺宏存储芯片
TPS74533PCQWDRVRQ1，TI原装供应商
面议
产品名：TI德州仪器常用型号
KH25L25635FMI-10G旺宏销售
面议
产品名：MXIC/旺宏Flash存储芯片
MX25L8036-M2C-12G旺宏报价
面议
产品名：MXIC/旺宏Flash存储芯片
MX25V80066ZNI02旺宏价格合理
面议
产品名：MXIC/旺宏Flash存储芯片
MX25V80066M2I02旺宏厂家价格
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产品名：MXIC/旺宏Flash存储芯片
ATMEGA324P-20PU,微芯单片机原装优势现货供货商
面议
产品名：微芯单片机优势原装
PIC18F4410-I/PT,微芯单片机原装优势现货供货商
面议
产品名：微芯单片机优势原装