氮化硅陶瓷压环

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氮化硅陶瓷压环

氮化硅陶瓷导轨<br>
Si3N4陶瓷材料作为一种的高温工程材料，能发挥优势的是其在高温领域中的应用它极耐高温，强度一直可以维持到1200℃的高温而不下降，受热后不会熔成融体，一直到1900℃才会分解，并有惊人的耐化学腐蚀性能，能耐几乎所有的无机酸和30%以下的烧碱溶液，也能耐很多有机酸的腐蚀；同时又是一种电绝缘材料氮化硅与水几乎不发生作用；在浓强酸溶液中缓慢水解生成铵盐和二氧化硅；易溶于氢氟酸，与稀酸不起作用浓强碱溶液能缓慢腐蚀氮化硅，熔融的强碱能很快使氮化硅转变为硅酸盐和氨氮化硅材料的这些性能足以与高温合金相媲美但作为高温结构材料，它也存在抗机械冲击强度低，容易发生脆性断裂等缺点为此，在利用氮化硅制造复杂材料，尤其是氮化硅结合碳化硅以及用晶须和添加其它化合物进行氮化硅陶瓷增韧的研究中运用广泛<br>

氮化硅（Si3N4）存在有3种结晶结构，分别是α、β和γ三相，α和β两相是Si3N4常出现的型式，且可以在常压下制备，γ相只有在高压及高温下，才能合成得到，它的硬度可达到35GPa
氮化硅在 600℃以上能使过渡金属（见过渡元素）氧化物、氧化铅、氧化锌和二氧化锡等还原,并放出氧化氮和二氧化氮<br>

热导率为16.7W/(m·K)在很宽的温度范围内氮化硅都是一种具有一定的热导率、低热膨胀系数、弹性模量较高的高强度硬陶瓷<br>
氮化硅陶瓷表面经抛光后，有金属光泽<br>

多孔碳化硅的热膨胀系数小于氧化铝的热膨胀 系数，碳化硅的抗热震性能优于氧化铝水冷-强度法测定多孔陶瓷的实验表明：随着热震温差的增加， 氧化铝多孔陶瓷的强度衰减程度比碳化硅大得多，当热震温差为200℃时，氧化铝多孔陶瓷的残余强度急剧衰减，并低于碳化硅多孔陶瓷在热震温差为700℃时的强度；此外，陶瓷材料的弹性模量随着热震温差的增加而降低通过碳化硅多孔陶瓷的强度-热应力校核， 碳化硅多孔陶瓷热震临界温差范围为300～400℃，因此，在实际应用过程中，为了材料的正常使用，碳化硅多孔材料的热震温差不宜超过300℃<br>

耐热，在常压下，Si3N4没有熔点氮化硅具有耐磨，耐热性，用作蒸汽喷嘴，在800℃的锅炉工作半年后无明显损坏，其他耐热蚀合金喷嘴在同样条件下只能使用1-2个月<br>
比体积电阻，20℃时为1.4×105 ·m,500℃时为4×108 ·m氮化硅陶瓷可做高温绝缘材料，其性能指标的优劣主要取决于合成方式与纯度，材料内未被氮化的游离硅，在制备中带入的碱金属、碱土金属、铁、钛、镍等杂志，均可恶化氮化硅陶瓷的电性能，一般氮化硅陶瓷在室温下、在干燥介质中的比电阻为1015～1016欧姆，介电常数是9.4～9.5，在高温下，氮化硅陶瓷仍保持较高的比电阻值，随着工艺条件的提高，氮化硅可以进入常用电介质行列<br>

界面裂纹重要的特性是裂纹附近的复合 型奇异应力场甚至在远场拉力下，由于界面两侧 材料弹性性能的不匹配，裂纹存在剪切载荷，一 四点弯曲试样示意图Fig pointbend test 局部法评定界面强度 局部 l0〕局部法的优点在于材料脆性断裂的临界 威布尔应力 与试样的几何形式和加载方式无关，它 当破坏发生在界面上时，评定威布尔应力的断裂控制区的体积 $GyTX 徐连勇，等：金属基陶瓷涂层弹性模量和界面断裂韧度57 当破坏发生在临近界面涂层一侧时，破坏区域 体积 为界面附近的涂层材料，有效应力为曲线图中标出了单面涂层中开始出现裂纹和涂层 被压碎的位置，两者的位置非常接近而对双面涂 层，涂层在还处于弹性段时发出“啪”的响声，那是弯 曲过程中一侧涂层受拉产生裂纹时发出的声音，裂 纹开裂的位置比单面涂层提前很多<br>
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