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87000.00元烧结银技术的优势与特点 1.什么是烧结银技术 20世纪80年代末期，Scheuermann等研究了一种低温烧结技术，即通过银烧结银颗粒AS9385实现功率半导体器件与基板的互连方法。SHAREX善仁新材是烧结..06月03日
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87000.00元银烧结是一种经过验证的芯片粘接技术，可确保无空隙和高强度键合，并具有高导热性和导电性。 这种有压烧结银AS9385技术良品率高，十分可靠。SHAREX善仁新材是烧结银产品和服务的市场领导者。..06月03日
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87000.00元随着新一代IGBT芯片及功率密度的进一步提高，对功率电子模块及其封装工艺要求也越来越高，特别是芯片与基板的互连技术很大程度上决定了功率模块的寿命和可靠性。传统钎焊料熔点低、导热性差，..06月03日
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87000.00元SHAREX善仁新材是烧结银产品和服务的市场领导者。我们针对许多客户的不同应用提供了各种烧结银解决方案，可以提供无压烧结银，有压烧结银，银玻璃烧结银，纳米烧结银等，配合了100多家烧结银..06月03日
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87000.00元传统钎焊料熔点低、导热性差，难以满足高功率器件封装及其高温应用要求。此外随着第三代半导体器件（如碳化硅和氮化镓等）的快速发展，对封装的性能方面提出了更为严苛的要求。AS9385有压银烧..06月03日
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87000.00元相对于焊料合金，银烧结技术可以更有效的提高大功率硅基IGBT模块的工作环境温度及使用寿命。目前，AS9385银烧结技术已受到高温功率电子领域的广泛关注，它特别适合作为高温SiC器件等宽禁带半..06月03日
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87000.00元银烧结是一种经过验证的芯片粘接技术，可确保无空隙和高强度键合，并具有高导热性和导电性。 这种有压烧结银AS9385技术良品率高，十分可靠。SHAREX善仁新材是烧结银产品和服务的市场领导者。..06月03日
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89000.00元烧结银可以解决现有存在的五个难题 总所周知，不论是碳化硅模块还是硅IGBT，电力电子发展总体目标是提高功率（电流，电压）——降低半导体控制和开关时损耗——扩展工作温度的范围——提高使用寿命..06月03日
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87000.00元烧结银技术的优势与特点 1.什么是烧结银技术 20世纪80年代末期，Scheuermann等研究了一种低温烧结技术，即通过银烧结银颗粒AS9385实现功率半导体器件与基板的互连方法。在这种烧结过程中，在..06月03日
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87000.00元有压银烧结AS9385是一种新型的高可靠芯片粘接和键合技术，可确保无空隙和高强度键合，并具有优越的导热性和导电性。 该技术可以将器件的结温 (Tj) 最低降至150℃。芯片转印是指将芯片在银膜上..06月03日
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87000.00元随着新一代IGBT芯片及功率密度的进一步提高，对功率电子模块及其封装工艺要求也越来越高，特别是芯片与基板的互连技术很大程度上决定了功率模块的寿命和可靠性。传统钎焊料熔点低、导热性差，..06月03日
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87000.00元随着新一代IGBT芯片及功率密度的进一步提高，对功率电子模块及其封装工艺要求也越来越高，特别是芯片与基板的互连技术很大程度上决定了功率模块的寿命和可靠性。传统钎焊料熔点低、导热性差，..06月03日
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89000.00元由于材料的热膨胀系数不同、高温波动和运行过程中的过度负载循环将导致焊料层疲劳，影响宽禁带半导体模块的可靠性。相比焊接模块，加压烧结银的银烧结技术对模组结构、使用寿命、散热产生了重..06月03日
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87000.00元传统钎焊料熔点低、导热性差，难以满足高功率器件封装及其高温应用要求。此外随着第三代半导体器件（如碳化硅和氮化镓等）的快速发展，对封装的性能方面提出了更为严苛的要求。AS9385有压银烧..06月03日
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