产品别名 |
地坪抛光液 |
面向地区 |
全国 |
这两个概念主要出半导体加工过程中，初的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。
CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上全面平坦化的工艺技术。
氧化铝抛光液的硬度高，稳定性好，纳米级的氧化铝适用于光学镜头、单芯光纤连接器、微晶玻璃基板、晶体表面等的精密抛光，应用相当广泛。当前，以高亮度GaN基蓝光LED为核心的半导体照明技术在照明领域引起了很大的轰动，并成为半导体领域研究的热点。但GaN很难制备，在其它衬底晶片上外延生长薄膜，如蓝宝石晶片或碳化硅晶片，因此晶片的抛光也成为关注的焦点。
近年来，国际上采用了一种新的工艺，即用Al2O3抛光液一次完成蓝宝石、碳化硅晶片的研磨和抛光，大大提高抛光效率。不过，由于纳米α-氧化铝的硬度很高，因此抛光时易对工件表面造成严重的损伤；而且纳米氧化铝的表面能比较高，粒子易团聚，也会造成抛光工件的划痕、凹坑等表面缺陷。近年来对氧化铝抛光液的研究主要集中在纳米磨料制备、氧化铝颗粒表面改性、氧化铝抛光液混合应用等方面。
抛光剂使用注意事项：使用前将抛光织物用清水湿透，避免摩擦发热；启动抛光盘后将抛光剂轻摇后倒置喷出；喷洒抛光剂时，应以抛光盘中心为圆心沿半径方向喷出，3-5秒即可。新织物喷洒时间应相应延长，以使织物有更好的磨抛能力；抛光过程中不断加入适量的清水即可。
抛光剂用于各制造领域生产加工如：航空业、铸造业、钢铁业、医学业、轨道业，并且用于国家各科学院和各种试验及研发。抛光剂的作用主要是除某些非金属夹杂物、铸铁中的石墨相、粉末冶金材料中的孔隙等特殊组织外，经抛光后的试样磨面，用浸蚀剂进行“浸蚀”，以获得（或加强）图象衬度后才能在显微镜下进行观察。
最近来访记录
